TI中文支持网已确定所保护芯片的耐压高出TVS芯片的击穿电压和钳位电压10V以上，为什么加和不加TVS芯片的IEC防护等级都只有1KV？而且在同一个引脚并联两个TVS芯片反而防护能力更差？
answer：
您好，并联的两个TVS管是否为同一个型号？
chen yu5：
回复 answer:
您好，是一样的
Jack Li：
你看看TVS管的响应时间是否小于你ESD放电曲线的时间，如大于ESD的放电时间，还没响应/吸收，放电尖峰电压就跑到后面的IC了，故没有效果。
chen yu5：
回复 Jack Li:
您好，感谢你的回复。
做的是接触放电实验，放电应该是比TVS响应要快，有其他的保护措施能提高接触放电等级的吗？
Jack Li：
回复 chen yu5:
总体来讲： ESD的保护分为结构，软件，硬件三个方面，如果光从硬件入手，针对接触ESD测试，建议保护措施：
1.在输入端尽量保留压敏电阻
2.然后串接一个限流电阻，大小从10 欧姆到10K 欧姆不等，取决于你的信号，电阻的两端各加一个电容对地。
3.合理的割地，但割地一般和EMI等特性矛盾的，所以要合理，一般要在隔开的缝隙之间留有可以连接回去的Option.仅供参考！
