1. 在下面的应用电路中,当 PGND节点与 GND_DIG_LV 节点之间出现电压差5V,并且该电压差的脉宽时间约为100ms,此时,该100ms脉宽的电压差是否会造成 Ti芯片内部EOS失效? 2. 如果该100ms脉宽的5V电压差会导致Ti芯片失效,那么请Ti建议,该压差至少小于多少伏或者脉宽至少低于多少ms,才不会对Ti芯片造成影响
Kailyn Chen:
您好,您的意思是两个GND之间压差达到5V吗? GND之间如果这么大的压差很有可能导致芯片失效吧.
建议是没有压差的, 也就是我们常说的单点接地. 否则不论是这个器件,还是其他通信器件都会导致不能正常工作.