TI中文支持网如何选择开关电源的上管、下管，除了Qg,Rds外，还有什么需要注意的，以及下管的肖特基二管参数有什么要求。
Wen Jing：
你是用上MOSFET下肖特基的BUCK电路？
对于一般的低压DCDC；高端管的Qgd/rg/Rdson/封装都是至关重要的。
至于下管的肖特基；高温特性也是重要却容易被遗忘的参数。
yao chen：
回复 Wen Jing:
谢谢你的回答，能不能细讲下，MOS管参数中的上升时间，开启延时，下降时间，以及下降延时与电源芯片的关联。芯片资料中有一个Rg，还有一个RGEN，不明白当中的关系和作用。
Wen Jing：
回复 yao chen:
MOSFET有它自身的开关参数；如果不考虑IC寄生参数；MOSFET特性与IC无关。
IC对MOSFET影响却很大，主要是IC内的驱动时序和寄生内阻等作梗。
至于Rg；是MOSFET栅外接电阻；它以限制MOSFET开关速度为己任，以达到匹配你的PCB及外围设计。
Jeff Jiang：
回复 Wen Jing:
请去下载TI 2001年 SEM1400里面的两篇文章看下：
Design and Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive Circuits
Appendix A: Estimating MOSFET Parameters from the Data Sheet
