TI中文支持网根据datasheet 第11页的推荐电路图和外围配置，用40V转15V带载300mA（满载）烧芯片，空载和轻载都是可以带的，怎么回事？
Scott Sun：
可以了解一下您用的电感最大DC电流满足该应用条件吗？
Johnsin Tao：
您需要确认您的电感饱和电流够不够，按照您的选取，47uH电感，饱和电流推荐到700mA以上，满载烧芯片很可能是电感饱和造成的.
推荐40V转15V/0.3A, 如果您是用X版550kHz频率，推荐电感220uH, 700mA饱和电流(非常接近或者以上) ,如果您是用y版1250kHz频率，推荐电感100uH, 650mA饱和电流(非常接近或者以上).
vincent rui：
回复 Johnsin Tao:
可是规格书上写的是47uH，目前我们使用的电感 DCR为0.37Ω，Rated D.C.Current 为0.72A。
另外，同样的电路板更换芯片后有的可以满载工作，有的不可以，电感没有换。
Scott Sun：
回复 vincent rui:
标称值和实际值会有偏差，更重要的是有电流后电感的感值会derating，所以要留充分余量。
不同的芯片频率，RDSon等参数会有差别，电感电流也会不同。如果您的参数刚好取在边界上，就会发生有些工作有些不可以的情况。
Johnsin Tao：
回复 Scott Sun:
如果电感没有问题，饱和电流在700mA以上，确实有可能芯片有质量问题，但您仍有如下问题要确认：
1.输入电流，按照您的输入40V, 已经接近45V的极限，需要确认是否有过压的可能。输入电容需要选择低ESR的陶瓷电容，layout尽量靠近芯片，目的是尽量较小输入的纹波电压。
2. charge pump的电容0.15uF可以更改到0.22uF,可以比较一下SW波形，在那种情况下更加规则(好一些)? 原因是datasheet中推荐的电路，有用0.1uF,0.15uF等，这个直接关系到内部MOS的驱动能力，如果驱动不好，容易造成MOS发热甚至烧掉。（0.22uF来自电路仿真）
我推荐的电感之所以与datasheet有所差异，是因为您的应用与datasheet存在差异，datasheet的输入电压范围比您大，而且并没有标明满载输出电流，我提供的参数完全是按照您的应用条件下仿真的，所以会存在差异，这个并没有问题。
vincent rui：
回复 Johnsin Tao:
1) 是陶瓷电容 Cin=2.2uF，Coout=22uF
2) Cboost 现在已经用0.22uF
3) 以上配置在用直流供电电源Vin=40V,Vout=15V，空载是有输出的，用电子负载一带上300mA，芯片就炸了。
4) 在这个条件下你们实测过带载300mA吗？
Johnsin Tao：
回复 vincent rui:
我没有LM2841这个芯片的EVM板，没有办法改电路测试，但是LM2841输出300mA是绝对没有问题的，电流限制点是至少525mA。
出现芯片炸掉，代表经过芯片的电流非常大，您是否是在满载300mA下启动芯片，还是慢慢调节到300mA?
另外您的电感是买的哪一家的？
Johnny Guo：
回复 Johnsin Tao:
建议把电感换大，排除电感的原因
vincent rui：
回复 Johnny Guo:
1) 设定好输入电压40V，上电，测得有15V 输出，不断电然后再带载0.3A，芯片炸掉。
2) 另外，一个问题，发现芯片很热了以后也不会保护，规格书上不是有热关断功能的吗？
3) 现在我们用没坏的芯片测出的效率数据如下：
Vin(V) Iin(mA) Vout(V) Load(mA) η
42.00 113.3 14.383 300 90.68%
Johnsin Tao：
回复 vincent rui:
从您正常品的测试数据看，完全没有问题，也证明了电路并没有问题。
您可以做交互验证，将正常品的电感，更换到曾经烧过芯片的板子上测试，如果依然没有问题，则说明是电感导致的。如果依然烧，则可能是芯片造成的。
芯片热保护温度在175℃，按照您的参数，芯片温度应该在85℃附近，不足以热保护，带0.3A负载，炸的原因可以肯定是瞬间超过525mA电流。
建议关于芯片，您可以找TI的代理商买一下，小数量购买找e络盟，电感找TDK,或者Coilcraft等（100uH, 0.7A,按照我之前推荐的购买，您可以测试以目前没有坏的芯片，电感的实际峰值电流是多少？应该在480mA(X版)、380mA(Y版))
