TI中文支持网您好，我设计了一台1MHz 全桥串联谐振逆变器，电路结构如图，说明一下我的逆变器采用的是非隔离的，就是说负载电阻是直接串连在逆变谐振回路中的。调试中发现电路工作几十s后驱动芯片就突然给烧了，而开关管是没有出现任何问题，不知什么原因，请帮忙分析下，我的全桥驱动是对的，没问题，电路驱动电路参数见下图
Wang Shiming1：
驱动芯片用的是TI的UCC27210 ,栅极限流电阻Rg 用的是4.7欧的，栅源极之间加了一个10K的误导通电阻和15V的稳压管，驱动芯片是用12V稳压电源来供电的。
请问我的这个驱动电阻Rg 是不是太小或太大了，请问TI有推荐的1MHz 频率下的Rg值吗？
Johnsin Tao：
回复 Wang Shiming1:
Hi
你的MOS选择的是哪一款？
另外你有没有讲频率降低到300~500kHz时，是否仍然烧驱动？
Wang Shiming1：
回复 Johnsin Tao:
MOS管用的是英飞凌的IPP057N08N3，频率降到300~500kHz时不烧，不知什么原因，请帮忙解答，谢谢
Coffee Ge73：
回复 Wang Shiming1:
1.去掉稳压管看一下；
2.如果排除稳压管失效的影响，慢慢调高频率同时观察驱动波形的死区时间，是否有桥臂直通，因为MOS的pulsed drain current 达到320A，所以可能在MOS坏之前，芯片先损坏了。
Wang Shiming1：
回复 Coffee Ge73:
应该不是桥臂直通的问题，我商住电路之前都先测了同一半桥驱动是否有重合的部分，这个应该没问题，稳压管15V 1W的应该也没问题，现在纠结中，是不是MOS管的问题，我仿真中发现不同的MOS管驱动波形不一样，主电路波形也有微小的区别
Johnsin Tao：
回复 Wang Shiming1:
Hi
只烧驱动芯片，而不烧MOS, 最可能的原因是因为驱动电流太大导致的，在你的全桥设计中，每一个驱动输出要带两个MOS, 加起来驱动电流会比较大。
建议通过降低频率或者选择较低Qg的MOS来解决。(需要说明的是按照你的MOS选择，功率是非常大的，在这种场合通常频率不建议太高)
Wang Shiming1：
回复 Johnsin Tao:
我逆变器母线电压有30V，谐振回路工作时电流根据谐振频率不同，负载也会不同，主电路谐振频率越高负载等效阻抗也越大，1M时阻抗才只有1欧多一点，因此MOS管的通流能力要有40~50A的样子。
您有合适的MOS可以推荐下吗？我电路的频率不能降太多，降太多斧子的等效阻抗就小了，达不到焊接的目的！
Coffee Ge73：
回复 Wang Shiming1:
Hi Wang Shiming，
看johnsin的回复你是只用一个半桥IC驱动一个全桥？你有在主电路工作的时候增加频率测过驱动的波形吗，没有的话建议先测一下，自举的驱动对干扰还是很敏感的，不能排除有干扰引起的误导通。
Hi Johnsin，
我理解的芯片的驱动能力sink电流和source电流只是芯片的特性，达到4A的最大值之后限制了mos的上升沿和下降沿，但并不会造成芯片损坏。
Scott Sun：
回复 Wang Shiming1:
如果您用的是SO-8封装，请一定注意该封装能承受的功率很有限。
如果是其他封装，请在逐渐调高频率的同时注意一下驱动温升。
Wang Shiming1：
回复 Scott Sun:
昨天在网上问了电源界的一些前辈，有人说可以在驱动芯片输出端后面加一个图腾柱，就是说让驱动信号给图腾柱的基极，让图腾柱输出来驱动主电路MOS管，请问这样是否可行？可是这样的话，图腾柱三极管岂不是要流过很大的电流，有这样的三极管吗？
要说明的是，我电路中用的是两个高、低端驱动芯片来分别驱动全桥电路中的每个半桥！
