TI中文支持网使用的电源芯片是TPS61081，
1、led背光驱动电路，输入是5v，输出是20v/120mA的；
2、板子刚回来首先一个问题是layout的时候遗漏了terminal pad的散热接地部分没有接地，通过改动将其接地，不充分，但是可以保证接地完好
3、现在是问题是刚焊接好的线路板，在不带任何负载，输出是悬空的情况下，上电瞬间电流很大，以后就维持20几ma这样的电流，但是通过测量发现L端已经和地存在100欧左右的电阻，换了几个芯片，每个芯片电阻大小不一，基本在几十到100多欧这样，估计是mos管烧毁；
4、原理图如下，图中的con2是悬空的没有连接任何负载，电感采用是6.8uh的普通电感，是不是一定要用tdk的电感，是否是电感导致的这个原因？电容是C10和C11的值是4.7uf。R18=110K，R17=4.7
Osial：
kefeng fu
使用的电源芯片是TPS61081，
1、led背光驱动电路，输入是5v，输出是20v/120mA的；
2、板子刚回来首先一个问题是layout的时候遗漏了terminal pad的散热接地部分没有接地，通过改动将其接地，不充分，但是可以保证接地完好
3、现在是问题是刚焊接好的线路板，在不带任何负载，输出是悬空的情况下，上电瞬间电流很大，以后就维持20几ma这样的电流，但是通过测量发现L端已经和地存在100欧左右的电阻，换了几个芯片，每个芯片电阻大小不一，基本在几十到100多欧这样，估计是mos管烧毁；
4、原理图如下，图中的con2是悬空的没有连接任何负载，电感采用是6.8uh的普通电感，是不是一定要用tdk的电感，是否是电感导致的这个原因？电容是C10和C11的值是4.7uf。R18=110K，R17=4.7
Osial：
SS是软启动，请接电容，不是接电阻。参考英文版datasheet 14页，公式（8）（9）（10）.
Osial：
电感没什么问题，各家的基本性能都一样。
kefeng fu：
回复 Osial:
我是使用的WLED驱动，用作背光驱动电源。参考电路在datasheet 18页
kefeng fu：
回复 kefeng fu:
FB端主要是对led的电流进行采样检测。
kefeng fu：
kefeng fu
使用的电源芯片是TPS61081，
1、led背光驱动电路，输入是5v，输出是20v/120mA的；
2、板子刚回来首先一个问题是layout的时候遗漏了terminal pad的散热接地部分没有接地，通过改动将其接地，不充分，但是可以保证接地完好
3、现在是问题是刚焊接好的线路板，在不带任何负载，输出是悬空的情况下，上电瞬间电流很大，以后就维持20几ma这样的电流，但是通过测量发现L端已经和地存在100欧左右的电阻，换了几个芯片，每个芯片电阻大小不一，基本在几十到100多欧这样，估计是mos管烧毁；
4、原理图如下，图中的con2是悬空的没有连接任何负载，电感采用是6.8uh的普通电感，是不是一定要用tdk的电感，是否是电感导致的这个原因？电容是C10和C11的值是4.7uf。R18=110K，R17=4.7
kefeng fu：
回复 Osial:
Osial
电感没什么问题，各家的基本性能都一样。
Johnsin Tao：
回复 kefeng fu:
Hi
L和W是通过电感连接的，阻抗差不多是一致。
如上可以参考TI的标准设计，电路上是没有问题的。建议如下：
1. 确认电感的饱和电流是否足够，按照5V转20V/120mA, 电感推荐选择800mA以上的饱和电流。 — 从现象看是MOS烧掉了，电感饱和是容易造成MOS烧掉的。
2. 建议到TI官网上申请免费样片测试：http://www.ti.com.cn/tihome/cn/docs/homepage.tsp —-确认芯片质量问题
3. 注意一下layout，需要参考datasheet， 芯片底部的PowerPad需要与GND充分焊接，并尽量扩张GND面积用于散热，散热不好芯片带载能力会受限的，芯片也会发烫。
Johnsin Tao：
回复 Johnsin Tao:
Hi
另外测试的时候建议带上LED. 你可以把sense电阻设置大一点来测试。 之前你测试L或者SW的阻抗是在带电情况下测试，还是断电的时候测试的？
空载测试会发生OVP保护，Duty会开到最大知道输出27V OVP保护，芯片shutdown.
Osial：
回复 kefeng fu:
kefeng fu
Osial
电感没什么问题，各家的基本性能都一样。
