原理图如上,在高负载后,30A以后效率极其低下
需要补充的是,我只用了一个mosfet,HG LG都接入了cds87350qsd ,是否这块原因造成?
wei wang1:
电感的导通内阻、MOS管的导通内阻这些会导致较大的损耗,你的分别是多少?
alex.li:
回复 wei wang1:
电感 320nh
DCR (m Ω) @ 20°C : 0.32 ± 9.4%
mosfet 是csd87350
原理图如上,在高负载后,30A以后效率极其低下
需要补充的是,我只用了一个mosfet,HG LG都接入了cds87350qsd ,是否这块原因造成?
电感的导通内阻、MOS管的导通内阻这些会导致较大的损耗,你的分别是多少?
回复 wei wang1:
电感 320nh
DCR (m Ω) @ 20°C : 0.32 ± 9.4%
mosfet 是csd87350