TPS23754 芯片、MOS、变压器发烫严重，占空比跳变求助高手

最近仿照TPS23754EVM-383EVM做了一个符合802.3at的PD设备，输出电压19V，变压器用的是线艺的POE300F-24L,输入电压范围44V-57V，占空比理论范围是50%——65%，输出电压19V正常，但是TPS23754 芯片、高压侧的NMOS和PMOS、变压器发烫严重，而且工作一段时间后占空比还会跳变，求高手分析原因。

Jeson：

补充一下：奇怪的是我将输出电压改为12V，其他的什么参数都不变，电路就工作正常了。

以下是我测试的各点波形，以便大家分析：

TPS23754第6脚VC的波形：

TPS23754 第1脚CTL的波形:

一次侧主MOS的VDS波形:

主MOS的开关信号:占空比明显不一样在变化。

wei wang1：

将驱动电阻加大点试试，是不是直通？

Jeson：

回复 wei wang1:

附件有原理图，驱动电阻有10欧

wei wang1：

回复 Jeson:

我看了，我的意思是加大驱动电阻，同时驱动电阻反向并联一个二极管，让MOS管快关慢通试试。

Jeson：

回复 wei wang1:

发热和回路不稳定是由于我的占空比大于50%后，峰值电流控制模式需要做斜坡补偿，datasheet里有，但是具体怎么做只有下面的公式

没有具体补偿说明，Vslope_D 多少合适，或者说怎么判断合适，现在我将RS由1K改为了10K，芯片、MOS不发烫了变压器还会但有变好，回路也稳定了，但是还有下面3个问题：

1.48V 输入空载时还有0.06A功耗，19V输出0.85A负载时，效率只有80%，跟TI的DEMO板没法比；

2.RS改大了以后肯定会影响限流，限流值怎么计算？

3.有的板子输出19V加0.85A的负载输出会掉到17V左右；