TI中文支持网如果用UCC27211做mos管驱动要不要额外的死区控制呢，按照手册上讲的，似乎不需要额外的死区控制，但是经过实际测量后，发现没有死区，同时上管波形有畸变，不知道是怎么回事，电路图采用数据手册上的电路，自举电容为104，工作电压12V，请老师们释疑。
user151383853：
如果上下管控制半桥, 那么死区控制是必须的.
驱动芯片大都不给出死区控制(最多是锁定直通), 死区时间需要由你的 PWM 控制器提供, 这应该可以提供控制的灵活性.
不知道采用的是什么 MOSFET, 估计自举电容太小了.
刘军：
自举电容为0.1uF,MOS管为IRF3205，以下图片是取自UCC27211的手册，这上面的死区是怎么回事，请老师释疑。
wei wang1：
这个波形也算正常了，上管驱动下降是因为自举电容放电导致，如果觉得不好看，可以加大自举电容。
LIANGPING HU1：
回复 wei wang1:
波形比较正常，所谓的死区，是指一路的驱动关闭，到另一路驱动开通中间的延迟时间。多数是为了电路应用中，避免上下管直通。一般是由前端控制27211的PWM波来实现的。
