TI中文支持网用LM5030做了一个推挽结构的电源，出现输出侧整流桥前后出现电压尖峰，在LM5030的手册中（AN-1305 LM5030 Evaluation Board）也有发现，如图：
也就是图中的V9和V5
下图是我测量到的：
就是上图中的黄色波形的尖峰
请问这个尖峰形成的原因是什么？怎么减小，谢谢！
KW X：
这是变压器漏感和二极管反向恢复过程中的电流换流过程引起的感应电压。
减慢功率关开关速度或换好二极管都可以削减尖峰。加RCD或TVS吸收也可以。
James Erik：
回复 KW X:
漏感不应该是图中的V4吗？
另外我发现这个电压和负载电流、输出的电感有关系，电感越大，电压尖峰越大
LIANGPING HU1：
回复 James Erik:
V4只是一个示意图，实际中，由于变压器漏感，寄生电容，以及二极管结电容，会产生多次震荡，起频率与这些参数有很大关系。小减小尖峰，就必须优化这些参数。被动的办法就是加吸收电路了。RC吸收，无损吸收，都可以参考。
James Erik：
回复 LIANGPING HU1:
我发现现象和这个帖子很相似：http://www.elecinfo.com/bbs/1448643.html
有没有详细的资料描述这个电压尖峰的？
谢谢！
KW X：
回复 James Erik:
这个尖峰实质是RLC二阶过渡过程，由于有MOSFET参与，过程变得非常复杂，而削减尖峰也相对比较简单。电工学理论里的二阶响应网络基本可以满足理论指导，因此；很少有专篇描述的资料。
建议亲看看RLC二阶网络方面的内容即可。
James Erik：
回复 KW X:
能给出一个RLC网络削减这种尖峰的例子吗？
如果我用TVS吸收效率上有没有区别？
谢谢！
KW X：
回复 James Erik:
是RCD或RC，RLCD可以接成无源无损吸收，但是太复杂了。
由于这个振铃的能量最终是电阻性参数吸收，用TVS吸收时不会有大的效率变化。
KW X：
回复 James Erik:
附件是典型RCD及TVS吸收电路。当损耗不大的时候，可以用高质量的稳压管代替。注：右侧TVS吸收中的C2；不是必须的。
James Erik：
回复 KW X:
吸收电路是加在主线圈侧？不是次级吗？
James Erik：
回复 KW X:
我试了用TVS在初级钳位，几乎没有效果
然后试了在次级钳位，我的电路时18-30V转24V1A，匝数比0.55
在次级用了60CA在整流桥前钳位
效率影响如下：
影响还是挺大的，而且TVS很烫
按照0.55的匝数比和最高30V的输入电压，选择75CA可能好一点，效率影响应该小一点
不然就得选择200V的肖特基管
