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在LM5030的手册中（AN-1305 LM5030Evaluation Board）有这样一张图：
在图中的标记时刻，输出整流管（截止的那一个）两端的电压在75V输入时应该是V9-V7=40V，为什么输出整流管的选型却是MBRB3030CTL（30V, 15A）呢？
谢谢！
另外对于V5和V9产生的原因能否做详细的解释？原帖中说是漏感，但是我理解不同，漏感形成的尖峰应该是MOS关断瞬间的脉冲尖峰才对。
KW X：
亲；这个演示板是3.3V输出，是通过变压器降压后整流的，整流管承受电压和输入电源没直接联系。
至于过电压；由于MOSFET的漏极及变压器都有寄生的电容，在MOSFET关闭时；实质是RLC（L为变压器电感，C为寄生的电容）自由过渡过程。由于MOSFET的体二极管钳位和R的损耗作用，电压变化率并不高且被二极管限幅，并没有形成有过电压。
而“开”是MOSFET主动动作；有高的电压变化率；确切的说是对杂散电容的短路过程。这样；变压器不能再用集中参数描述它的寄生电容了。
KW X：
亲；我们可以这样近似的看，变压器每一匝对外都有电容，自己也有电感。没和别的绕组耦合的；就是这匝线的漏感。这样变压器绕组被高频等效成了一个电感一个电容；再一个电感和电容组成的T型链。
当MOSFET快速通的时候，由于每匝电容的影响，临近出口的线圈先流过电流，后面再逐渐向力扩散。
亲；当临近出口的第一份绕组流过电流时；它就会在二次感应出电压。由于这是的变比不是全变压器变比；只是部分一次绕组和二次耦合，感应电压自然会高出设计值；这就是最初的二次过压。MOSFET开的越快；二次过压越高。
由于变压器中的每部分绕组对外都有电容，所以；MOSFET开通过程也是它们复杂的RLC过渡过程，MOSFET开的越快，这个RLC过程的Q值也越高，过压也越剧烈。
KW X：
由于这个过程中；主要有每部分的漏电感参与，所以；它是形成过压主因。过电压幅值与MOSFET开关速度与变压器损耗有关。
另外；由于变压器有一二次绕组有电容耦合，所以；两者的过程和过电压是非常复杂和波形奇特的。大体理解主过程即可。
James Erik：
回复 KW X:
非常感谢！
尖峰的部分我理解了
整流二极管那个问题有疑问
你说“这个演示板是3.3V输出，是通过变压器降压后整流的，整流管承受电压和输入电源没直接联系。”
3.3V输出实在整理经过电感以后，在图中的红圈时刻，截止的那一个整流管的反向电压难道不是V9-V7吗？
KW X：
回复 James Erik:
亲；V7~V9表示这V7/8/9时刻的各器件电压。红圈内的下侧是D1的电压。
附件是对应的原理图。电路是变压器降压后整流输出的。
James Erik：
回复 KW X:
如上图，在t时刻，Q1打开，Q2截止；
T1pin4电压为负电压V7，D1A截止，D1B导通
T1pin6电压为正电压，幅值为|V7|，那个D1A两端的电压即为整流二极管输出电压Vb减去T1pin4的电压Va，也就是|-V7-（-V7）|=2*V7
James Erik：
回复 James Erik:
实际差分测量D1A两端的电压可以测得两倍V7
KW X：
回复 James Erik:
亲；这事远没这么简单。你实测一下看看。
James Erik：
回复 KW X:
我对地测量整流后输出尖峰120V左右，差分测量整流桥两端240V左右，我建议你也实测看看
KW X：
回复 James Erik:
亲；你这是快恢复吧。这里是肖特基，3.3V输出。能类比吗？
