TI中文支持网如图所示输入12V，电流输出464mA,R6的阻值为1.5欧姆。L1为22uH，Q1是用BSC031N06NS3.但是输出效率不高只有88%。GDRV的波形如下。求大神指点，如何进一步提高效率？求指导。
Victor Chen：
你的输出电压是多少？
把TPS40210换成TPS40211还可以在sense电阻上省0.2W。
user4106079：
回复 Victor Chen:
这是驱动波形。还有其他办法提高效率吗？亲。
user4106079：
回复 user4106079:
怎么样进一步提高效率哪？
George Luo1：
回复 user4106079:
楼主，看你的驱动波形，上升沿很慢，MOSFET开通的速度太慢，开关损耗会比较大。你现在GDRV与MOSFET之间的R2接了么？如果有电阻，你可以把这个电阻改小一点。另一方面，你可以换一下电感，换一个DCR小些的电感。再去测试一下效率。
user4106079：
回复 George Luo1:
亲，那如何根据开关频率来选择mos管的上升时间和下降时间？比如频率为400K,那管子如何选？
George Luo1：
回复 user4106079:
楼主，你图上显示的上升时间和下降时间过长，应该是驱动的问题。至于 MOSFET的上升时间和下降时间，只要不会影响到电路工作的最小占空比就可以了。目前一般MOSFET都可以满足要求。如果驱动电路的驱动能力不强，给MOSFET的门极结电容Cgs充电速度不够快，MOSFET的开通就会变慢。你要提高整个系统的效率，还是弄清楚损耗主要分布在哪里，对症下药，我上面说的几条只是损耗相对比较大的部分，但是具体在一个电路里面，每部分损耗多少，你可以自己去计算一下。查阅一下元件参数，去估算一下大概损耗，然后有针对性地去改善，这样效果最好。
至于MOSFET的选择，首要条件是满足你的电压电流要求，能满足这些要求之后，你要去考虑MOSFET的封装以及发热，要保证其温升在你可以接受的范围。这一点可以使用MOSFET数据手册中的热阻来计算，损耗乘以热阻，得到温升，确保MOSFET能够正常温度范围内工作。
tao smith：
回复 George Luo1:
Hi
选择Qg尽量小的MOS, DCR尽量低的电感，VF尽量小的肖特基二极管。
yong tian1：
回复 tao smith:
请问管子的QG和导通电阻对效率的影响哪个更大
George Luo1：
回复 yong tian1:
你好，这个要分不同的情况来说，对于占空比小的buck而言，高侧的MOSFET，肯定是开关损耗比导通电阻引起的损耗要大。另外，在不同的工作状态下，二者对效率影响也不同，轻载下，肯定是QG影响更大些，而重载时，RDSON的损耗会增加，但是会不会占到主要，需要去计算。附件你可以参考一下。
