具体问题如下:
1 按照TI的DATASHEET中描述,我做了一个12V转5V的线路,但是每次上电芯片必坏,为此我做了很多思考和尝试,具体原因我分析是DATASHEET中给出的参考原理图不正确,线路如下,我觉得12脚和11脚之间的电容不能加(原因我想是11脚输出的是一个矩形方波,而12脚是VBST=5.5V,用于给上面的比较器供电,这样在12和11脚间接电容,最容易导致的问题是当11脚电压由高到低变化时,将导致推挽中的下边路MOS瞬间电流过大而烧坏,继而另一个MOS也将因为下边MOS的损坏而损坏),不知是否有人可以帮我解答一下,非常感谢
KW X:
亲;图挂了,建议再传一下。另外;最好有你电路的照片。
Johnsin Tao:
回复 KW X:
Hi
11与12脚之间的电容是chargepump电路的充电电容,这个是一个升压转换电路,原因是芯片要驱动高边MOS,需要将G极的电压相应的提升上去,这个不是问题所在。
Johnsin Tao:
回复 Johnsin Tao:
Hi
芯片损坏能否测试出是哪个脚的阻抗异常? (确认一下是否是内部MOS击穿之类)
另外layout上需要参考datasheet, PowerPad必须接GND,以及做散热设计,不接GND芯片就很容易坏。
Johnsin Tao:
回复 Johnsin Tao:
Hi
你的芯片哪里买的? 会不会有质量问题? 这类芯片其实也很难坏的。
电感注意饱和电流,建议大于最大输出电流的1.3倍以上。