TI中文支持网LM3478设计的BOOST升压电路，规格如下：
输入：8-27VDC
输出：32VDC 1.1A
工作频率：530kHz
感量：13.7uH
MOSFET NDB5060L (1.5~2.2V Vth电压)
肖特基：使用2颗20A/80V的型号并联
异常问题：
输入8~12V，空、满载输出电压可保持稳定，GATE脚波形为连续脉冲，FB电压稳定
输入提高至18V以上，空载输出电压开始在32~33V间跳变，GATE脚波形为间断脉冲，FB电压出现轻微上冲迹象
满载时输出电压偏高为33V，GATE波形出现间歇不连续状态
疑似环路响应速度不够快造成Vo浮高的问题
请帮忙看看是何原因造成，如何改善？
谢谢~
KW X：
PI参数不合适；建议调一下。
Randy Wang：
你好
可以拿你的参数到WEBENCH仿真
http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/power_management/f/24/t/106522.aspx
Coffee Ge73：
boost 轻载是容易不稳定，检查一下环路参数
yue zhu1：
回复 Coffee Ge73:
修改了输出规格与频率
问题1，27V满载电压大于32V
27V输入，32V输出 则 满载Dmin约为0.156 f=530kHz Ton约为294nS，无法满足芯片Tonmin=325nS(TYP)的要求，故输入电压接近27V时，Ton无法满足小于325nS的条件，占空比达到最小值，Vo开始上升
问题2，空载电压于32-33V之间跳变
经查阅LM3478 DATASHEET，空载或极轻载时350nS LEB时间会影响Vo上升并触发OVP，造成reset，故电压有轻微震荡现象
不同输入电压条件下加载，加一定电流的轻载可使Vo稳定在32V。
根据以上分析，改善如下：
降低工作频率530kHz改为325kHz，输出电压改为34V, 提高Tonmin, 使得27V输入重载条件下Ton能够大于600nS，改善27V重载电压浮高的问题
输出端并联10k电阻，增加假负载，使得电压跳变程度降低，Vo能保持相对稳定一点，但不能完全改善此问题
以上为我今天的分析改善措施，是否正确还请指点。
yue zhu1：
回复 yue zhu1:
输出肖特基两颗SBRT20M80SLP并联，VF=0.51V，20A/80V
ID=Io, 则流过肖特基的电流也应为1A左右，而实际测试肖特基的温度很高。
低压重载的效率只有85%，是不是肖特基的型号选的不符合或者用2个管子并联导致的？
