TI中文支持网本人需在1.5cm*1.5cm以内，且mos管两刀价格以内解决两个全桥驱动，
MOS管需要满足35V以上 每个6A以上 每个50nC以内，内阻需满足耗散要求（自然对流，温升40内为佳）
最好MOS不宽于DRV8711芯片宽度，四或六层板，底层不得放置IC
原本计划采用FDMQ86530，但采购困难且价格过高；可有高人指点？
Wentao Zeng：
Hi Di yang
你可以看一看DRV8432是否适合你的应用。电压52V，RMS电流达到7A，峰值电流12A。双H桥。如果不合适，我们再看看帮你选择合适的MosFETs.
Di Yang1：
回复 Wentao Zeng:
设计上需要采用DRV8711，64细分以上，设计必须要满足5A堵转的；但可以考虑DRV8432作为后级替代MOS管，但性能不是很理想~
5A输出时，110m欧姆内阻是否大了些？ 110*4*5^2=11W 温升11*13.3℃/W=146.3℃；应该不行的~；用mos管可以轻松控制在15mΩ左右，算上开关损耗也能压在5W以内。
由于有8路电机，即使使用DRV8432，个人更倾向DSP软件细分，仪表放大回测电流，并除去DRV8711；但本人无权利改变控制板电路SPI接口（已经做好）
