[咨询]LM5117设计问题咨询

1.LM5117的Datasheet上对使用外部VCC电源时要求在输出电压大于14.5V时需串接一个齐纳二极管，请问这个齐纳管的齐纳电压选择要求是什么？

2.LM5117的Datasheet上对Pin2（TSSOP）的介绍如下：可选逻辑输入可以在低态时启用二极管仿真。在二极管仿真模式下，在检测到反向电流流过 (电流从输出到地流经低边 NMOS) 后，低边 NMOS 在 PWM 周期的其余部分被锁断。当 DEMB 为高电平时，二极管仿真被禁用，从而允许电流在任一方向流过低边 NMOS。如果该引脚浮置，LM5117 内部的50 kΩ 下拉电阻可保持 DEMB 引脚为低电平，并启用二极管仿真。

这个管脚能否通过外部控制使LM5117在二极管仿真模式的开启和关断状态间进行切换，从而实现高负载下有较高的效率，低负载下低损耗的功能？

3.应该怎样选择合适的开关频率，以便达到器件尺寸和损耗之间的折中？

user3674641：

查看资料没看到关于Vcc的特殊这处，猜测估计是Vcc内部有15V限压，或驱动输出有15V限压，为担心外部供电过大烧坏，所以要求外加一个齐纳二极管，也就是稳压管。

Zhiqiang Shi：

回复 Frank Xiao:

从diode和mosfet导通参数看，diode通常有0.3V左右的压降，这时候负载较大的话在diode上的功率损失也比较大，而mosfet导通电阻通常在毫欧级别，同样的导通电流下的热功耗应该会比diode下小才对，不知道我的理解对不对？还是说要看负载电流是否大到加在mosfe上的的导通压降大于Diode的导通压降了？

Zhiqiang Shi：

回复 Frank Xiao:

这个问题的主要原因是由于从前常用的DC-DC大部分都是开关频率确定的类型，可以认为开关频率这个参数和纹波电流系数一样是个前置参数，因此通常感觉这个参数的选择更多是经验参数，而缺少定量的计算而不好把握，所以不知道有没有可以量化的确定方法

Frank Xiao：

回复 Zhiqiang Shi:

你好，当电流大于0的时候两种模式都是电流走mosfet沟道，区别是当电流反向时，FPWM还是走MOSFET反向沟道，而diode emulation 开关管关断，工作在DCM模式，谢谢。

fenghua hong：

回复 Frank Xiao:

请问把频率设置在100k会有问题吗？

Jiangze Zhao：

回复 fenghua hong:

LM5117一般在200-300ＫＨＺ范围内，如果在１００ＫＨＺ，应该不会出现太大的问题，我建议你在芯片建议的范围内设置。

fenghua hong：

回复 Jiangze Zhao:

谢谢