设计的是42V输入,12V输出,电流最大3A.
但测试发现效率只有70%~80% (输出1A~2A)
其中MOS管的发热比较大,加了一小片散热片达到140多。二极管和电感也有80度(可能是MOS管的热量传导过去的)。
我已经选了导通电阻很小的MOS管了(IRF4905),二极管是随便拿的一个体积比较大的(SB540),电感式100uH的磁环电感(饱和电流多少不知道)。工作频率300KHz和100KHz都试过,差不多。输出的滤波电容47uF。电路是按手册的典型电路连接的。
不知道为什么效率还不如简单的LM2576HV
Patrick Zeng:
您好,
针对您这个问题有两个方面:
1. 该芯片是P-FET驱动型,驱动电流只有几百mA,必然会导致开关损耗大于驱动NFET的IC,效率不高; 再次,输入输出压差越大,占空比越低,效率越差,这也决定了您的应用效率高不上去。
2. 至于您说的效率只有70%,这确实偏低。个人认为还有10%左右空间可以走;请问您是否测了SW节点波形,是否存在很大的振荡或者不稳定的情况?然后能否先把您的原理图贴上来,以方便大家帮忙排查。
谢谢~
Regards,
Patrick