TI中文支持网
TI专业的中文技术问题搜集分享网站

BQ24195问题求助

1. BQ24195在BOOST模式下仅电池供电,内部LDO是否工作,看手册说电池供电下LDO不工作,那Q2Q3怎么工作,LDO的输出不是他们的驱动供电

2.到底当只有电池供电且电压小于最低系统电压的情况下,系统电压是怎么维持的,比如电池电压2,8,系统电压怎么一直保持3.5?

3. BOOST时VBUS是不是一直有电压,电压是多少?那个Q1管一直导通吗

Wu JW:

1. BQ24195在BOOST模式下仅电池供电,内部LDO是否工作,看手册说电池供电下LDO不工作,那Q2Q3怎么工作,LDO的输出不是他们的驱动供电

A:在BOOST模式下,REGN是工作的。

2.到底当只有电池供电且电压小于最低系统电压的情况下,系统电压是怎么维持的,比如电池电压2,8,系统电压怎么一直保持3.5?

A: 不知道你的原理图如何。如果是我们典型应用的线路的话,VSYS的电压在只有电池时,VSYS电压等于电池电压减到芯片内部MOS管Q4的导通电压。

3. BOOST时VBUS是不是一直有电压,电压是多少?那个Q1管一直导通吗

A: BOOST的电压输出是PMID PIN。Q1是PMID与VBUS之间的反向保护的MOS管,Q1是升压的时候是断开的。

YU LAN3:

回复 Wu JW:

谢谢解答,第2,3个问题明白啦,第一个问题当BOOST模式时,REGN工作按手册的要求需要VBUS大于UVLOZ和VBUS低于电池电压加上Vsleepz同时满足吗?BOOST时VBUS为0V呀,还是只需要满足VBUS小于电池电压+Vsleepz?

YU LAN3:

回复 YU LAN3:

手册里BOOST模式VBUS还是5V电压?

YU LAN3:

回复 YU LAN3:

Wu JW:

回复 YU LAN3:

不好意思,之前描述有点不清。Q1指的是Datasheet第一页的应用线路中的Q1,这个MOS管可以防止PMID在升压时,反压到输入电压。

芯片在BOOST 模式时,芯片VBUS脚还是有5V电压输出的。

YU LAN3:

回复 Wu JW:

VBUS有5V电压的话,内部LDO工作的条件要求在BOOST模式下VBUS小于VBAT+VSLEEPZ,VBUS有5V电压怎么也不会小于BAT+VSLEEPZ,LDO是否在工作?不工作Q2,Q3也就不能工作啦,BOOST也就没有输出?怎么矛盾了

Wu JW:

回复 YU LAN3:

是有一些矛盾,我和我们产品线咨询一下。

https://e2e.ti.com/support/power_management/battery_management/f/179/p/547283/1999153#1999153

Wu JW:

回复 Wu JW:

以下是我们产品线的回复:

The conditions you are referring to on the datasheet for REGN enable are correct, as well as the HIZ mode with REGN LDO off. Perhaps the item that can be added for further clarification is that during boost mode, without VBUS connected or VBUS below battery+Vsleepz, REGN is powered from the battery. while battery is above BATLOWV.

赞(0)
未经允许不得转载:TI中文支持网 » BQ24195问题求助
分享到: 更多 (0)