非常奇怪,TI的这种PMOS GS之间的ESD保护二极管是单向的,正常应该是双向的,为什么呢?
并且这种PMOS和其他正常的PMOS是否还有别的差异?
Kailyn Chen:
power芯片,帮你转到电源版块。
Zhengxing Li:
S对G,ESD能量能被吸收,而G对S,二极管导通,能量同样吸收。双向ESD保护应用于GS工作正负区的,而这种小电流FET的SG不会工作于负区.
非常奇怪,TI的这种PMOS GS之间的ESD保护二极管是单向的,正常应该是双向的,为什么呢?
并且这种PMOS和其他正常的PMOS是否还有别的差异?
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S对G,ESD能量能被吸收,而G对S,二极管导通,能量同样吸收。双向ESD保护应用于GS工作正负区的,而这种小电流FET的SG不会工作于负区.