TI中文支持网我用 TPS40210 将12V 升到 28V,参考了TI 的设计，只调整了部分参数，R11 为15 毫欧，输出电容为220uF，带载 16R，MOS管发热严重，几分钟就会引起保护了（MOS温度达到80度），后面将PWM 频改到120K,同样条件MOS温度为70，MOS管没有散热器，是不是只能做到这样，还有什么可以改进的吗？望各位大牛不吝赐教！
原理图：
GDRV波形：
GDRV波形展开：
Vds波形：
Vds波形-上升沿：
Vds波形-下降沿：
Johnsin Tao：
Hi
为了降低温度一般MOS选取需要兼顾Qg尽量小，Rdson尽量小，热阻尽量小.
按照你的条件， 采用TI的webench仿真，频率500kHz，Rdson=16mohm, 热阻55℃/W, MOS稳定在75℃。
所以基本上正常，但是看波形，上升沿有点震荡，建议再确认一下。
如果要降低温度，需要按照上述选择更好的MOS。
按照你的方法降低频率也是方法之一。
user4972213：
回复 Johnsin Tao:
感谢您的回复！
GDRV上升下降沿看起来都还可以，但开关损耗应该也不小，我在R9上并了一个二极管，但没什么着用，如果不考虑EMI，R9是不是可以去掉？有没有合适的MOS管推荐下？
Johnsin Tao：
回复 user4972213:
Hi
如果是这样可以不要。
MOS见TI网站： http://www.ti.com.cn/lsds/ti_zh/power-management/n-channel-mosfet-transistor-products.page#p267=40;100&p1143=Single&p2748=0.82;10
（设置一下条件，然后再选）
csd18503q5a： http://www.ti.com.cn/product/cn/csd18503q5a
csd18514q5a： http://www.ti.com.cn/product/cn/csd18514q5a
Frank Xiao：
回复 user4972213:
你好，
选的直插的还是贴片的，直插功率大的话需要用散热器，贴片的要画铜帮忙散热
Morgan Xu：
回复 Johnsin Tao:
你好，我用tps40210做升压，12V转24V，5A输出，MOS管（CSD18503Q5A ) 和二极管温升都很高，满载时最高达到了100多度，自然散热，开关频率降到100K了，再降的话，电感温度也上去了，现在的转换效率只有93%左右，带载3A以下的情况下转换效率在96%以上，请问有没有其他的解决方案做优化来提高转换效率，或者在自然散热的情况下温度不要超过75度，感觉这个方案这样子做已经到了极限了，如果用同步整流来做的话，还得重新设计！
Vental Mao：
回复 Morgan Xu:
Layout时候注意MOS以及二极管的覆铜和散热，铺地也可以帮助散热，你的MOS是什么封装，Layout上传一下看看
