TI中文支持网如附件图所示，用LM5119做了一个30V转12V@30A的电源，发现在生产过程中不良率很高，维修发现主要是损坏LM5119的第2和第23脚，在板测量对地阻抗为100多欧，请教是什么原因造成这种不良，有什么办法避免？
Dong Li4：
TI的工程师呢，帮我分析分析吧，先谢谢了
Johnsin Tao：
回复 Dong Li4:
Hi
低边驱动脚低阻抗了？ 请问对应的低边MOS是否也烧掉了？ Q5/6/7/8是否有损坏？
能否测试一下正常品Ho1和Lo1的波形，两通道同时测试，将波形传上来看一下。
Dong Li4：
回复 Johnsin Tao:
我晚上回去测试上图。这一般是什么原因导致烧坏低边引脚？我原理图上的参数是否合理？有什么办法可以避免这样的问题发生，毕竟这芯片挺贵的，怎么感觉没有一点保护功能呢？ 谢谢！
Johnsin Tao：
回复 Dong Li4:
Hi
感觉上你的三极管设计上可能有些问题，其实你无需额外增加三极管加快放点，driver输出为低时放电效果不一定比三极管差。
具体你需要测试波形来确认。 另外请问你目前不良率是多少？
一般MOS驱动很难烧掉的，除非MOS烧掉。但在你的电路中MOS不一定烧掉了，或许只是三极管烧掉了。
Dong Li4：
回复 Johnsin Tao:
是的，三极管烧掉了，MOS没有损坏 ，同时LM5119也烧掉了低边的脚（低阻抗了）。这里没有大电流，什么原因烧掉主芯片，损坏三极管 ？有没办法加入什么电路对芯片进行保护 ？
Dong Li4：
回复 Johnsin Tao:
不良率我现在统计不了，有的板到客户手上，在使用过程中也会出现同样的不良。
Johnsin Tao：
回复 Dong Li4:
Hi
损坏只在低边MOS驱动代表很可能是这边驱动设计的问题。
当低边驱动为低的时，MOS管子g极维持7.5V左右的电压（即三极管发射极电压）， 而此时b极电压为0V， 7.5V的压差远远超过0.6V的管压降，这很可能导致三极管烧掉。
驱动是否烧掉，你要将三极管拿掉，或者单独测试芯片（拆下来的芯片）。
同时驱动2个MOS，你或需要选择Qg尽量小的MOS。
Dong Li4：
回复 Johnsin Tao:
Johnsin,
这个线路图是TI原厂的代理商提供的，是原厂内部线路，不知道现在是否有升级的版本了，麻烦告知哪里有问题，需要做什么修正 ？
按您的说法，是否可以去掉这四个三极管，同时把四个二极管直接短路。
另外，在MOS管的GS极，有没有必要并一个10K左右的电阻，以防G极开环损坏MOS ，还是说在5119内部的驱动就有这个电阻了 ？
第一次试产算是比较失败的，接下来会进行二次试产，但二次试产需要在修正这个问题后，所以，希望得到你们技术的支援。
非常感谢！
Johnsin Tao：
回复 Dong Li4:
Hi
建议在第二版中将三极管的放电电路去掉，同时选择Qg尽量小的MOS。
daw y：
工作中驱动是否有震荡？驱动可以适当串联一个小的驱动电阻看看。
