TI中文支持网各位老师好，最近要用24650做一个项目，看了DS感觉要达到高效太阳能转换效率对MOS的选型要求比较高，设计样例中使用的是Si 7288，Qg 4.9nC,但我手边正好有Ti的CSD87351Q5D 双MOS模块，看了DS发现其中的Q2同步FET Qg达到了17~22nC的水平，Q1在5.9~7.7nC的样子，请问如果选用这个片子来搭配24650来设计10A的充电模块是否合适？
Chenliang Liu：
另外手边还有安森美的 4925N， ciss 1264,Qg 10.8nC@4.5,若采用这个MOS是否会造成较大的转换损耗？
Vental Mao：
你好,如果想要在MOS管上的损耗较小就要保证MOS管的上升时间以及下降时间足够短,Qg越小代表充电时间越短,管子开启越快.但是这样会导致你SW波形上的ring会很大,同样会造成一定的损耗.故需要一定的折中.
同时MOS管内部的体二极管的压降大约在0.7V,也会存在损耗.建议在下管并联一个正相导通压降较小的肖特基二极管.
Frank Xiao：
你好，
效率不能只考虑开关损耗，也对比下Rdson.
