TI中文支持网1、如下图所示，为我产品的电源反接保护电路原理图，该电路是参考的LM74610Q的datasheet上的应用电路原理
2、正常工作时用示波器测得mos管的D极和G极的波形如下图所示。（黄色代表mos管D极波形，绿色带包G极波形）
3请问怎么样能让D极电压没有跌落？是否可以在mos管的G极增加一个大的对地电容?或者把LM74610Q的充电泵电容电容值加大（目前使用的是推荐值2.2uF）？
Vental Mao：
你好，这个压降是由于MOS管的体二极管压降导致，其目的是为了给charge pump电容充电，为后续提高栅极电压（具体原理详见数据手册章节7.3）。如果你直接在D点测量，这个是很难消除的，建议你选一个体二极管压降比较小的MOS。或者在输出加大电容，使得输出电压上的下跌较为平缓。
Zeyong Gong：
回复 Vental Mao:
你好！想跟你确认一下在mos管的G极加一个大一点的电容，mos就不会被关断。请问这种用法是否可取？有哪些潜在风险？谢谢！
Vental Mao：
回复 Zeyong Gong:
如果MOS没有关断，但Vin<Vout，就会出现电流倒灌，可能会损坏前级电路
Zeyong Gong：
回复 Vental Mao:
你这里的VIN是指mos的S极，Vout是mos的D极吗？是不是意味着电源反接的时候LM74610会被损坏。
Vental Mao：
回复 Zeyong Gong:
VIN是指mos的S极，Vout是mos的D极。电源反接是什么意思？是指Vin接到D？这样接，芯片无法工作的
Zeyong Gong：
回复 Vental Mao:
对，反接的时候电流是从D到S，我们要的就是电源反接的时候MOS处于关断状态。这个时候D极的电压高于S极，肯定不会烧坏LM74610吗？
对于你刚才说的Vin<Vout会发生电流倒灌。如果按照推荐电路使用，mos处于导通状态的时候如果Vin<Vout的时候会发生电流倒灌吗？
还有你刚才的前极电路是指的LM74610还是什么？
Vental Mao：
回复 Zeyong Gong:
你好，D极高与S极是可以的，只要不超过外接MOS的最大击穿电压，同时也不要超过42V（见数据手册6.3节）。
MOS导通，Vin<Vout的时候都会发生电流倒灌
前级电路指的是Vin的源，如果你是用DCDC电路给LM74610供电，倒灌电路很可能损坏前级电路
Zeyong Gong：
回复 Vental Mao:
我们的产品是由蓄电池进行供电的，做这个是因为有反向电压保护的要求（防止产品的电源和地接反对产品造成伤害）。根据你刚才的描述，我是不是可以理解为：我们在应用中在mos的G极（LM74610的gate Drive）加一个大的储能电容，在Gate Drive关断期间给mos的G极供电，以防止MOS关断 是可行的？
另外，想问一下LM74610主要的应用案例是什么？有没有类似的汽车电控产品使用过？
Vental Mao：
回复 Zeyong Gong:
MOS如果不关断，charge pump电容就没法充电，最终MOS的栅极电压还是会跌落的，加了电容无非是使得MOS持续导通时间变长，最终还是会关断。
看你的电路，MOS关断，对你的12V也没影响啊，还是不懂你为啥不让MOS关断
LM74610主要用于汽车上的反极性保护，http://www.ti.com/lit/ug/snvu489/snvu489.pdf
Zeyong Gong：
回复 Vental Mao:
lm74610的GATE Drive的电压不降低 充电泵电容就不能充电吗？
主要是考虑两个原因:1是产品的负载电流比较大，关断的时候是由体二极管通电，不知道这样会不会造成mos管的寿命变短；
2、电源突然变动担心影响输出控制的精度，这个我们使用在变速箱控制器上的。
所以如果这个不能实现mos不关断的话 能不能推荐一个其他的方案。
