TI中文支持网你好，我们现在使用LM5106MMX芯片驱动MOS管半桥电路，然后再用MOS管半桥电路驱动压电陶瓷晶体（容性负载，约3000pF左右，图1中为U2）。
具体电路如图1所示：
图1 实际电路图
PCB布局走线已参照LM5106MMX文档中的Layout说明
现在测试电路各点波形，如图2所示：
图2 测试波形图
图2中：
绿色为输入信号IN1；
黄色为LM5106MMX HO引脚波形；
蓝色为LM5106MMX HS引脚波形；
红色为HO与HS引脚波形的差值；
紫色为LM5106MMX LO引脚波形。
现在存在的问题：
1.HO的波形为什么会存在负电压（图2中黄色波形左边的圆圈标示），并且负电压出现的时间为死区时间？
2.HO的波形下降沿存在一个小台阶（图2中黄色波形右边的圆圈标示），且此台阶电压随着VCC_ADJ_18V电压增大而增大，此台阶出现的时间也为死区时间,导致高端MOS本应该关断却无法关断?
3.从图2中红色波形可知，高端MOS管的VGS之间的电压是正确的，现在高端MOS管的参考一直都是MOS管的S极，这样在死区时间内，VGS是高阻状态，怎么处理？
Johnsin Tao：
Hi
Cboot电容建议用0.1uF
我觉得问题主要是黄色波形中向下有个陡峭，将 Cboot加大再测看看。
负压是当低边MOS不导通，但是二极管如果存在续流，会有轻微的负压（-VF).
shuang Cao：
回复 Johnsin Tao:
你好，Cboot电容换成0.1uF后波形没有变化，MOSFET的结电容Cgs会有影响吗？
