ISO5852S隔离驱动的疑问

以下是关于隔离驱动爬电距离的疑惑

对于常用IGBT驱动，爬电距离8.3mm，CTI>175V，材料组IIIa，按污染等级2查表IEC61800-5-1 表10得到working voltage (r.m.s)=830V

疑惑1：此时的working voltage (r.m.s)是交流值还是直流值？驱动IC隔离的是原边地与副边的IGBT发射极E，IGBT只有在导通时E极存在高压（上管）；IGBT发射极E极电压不等于母线电压，而是调制等效值。所以此时working voltage (r.m.s)应该是变频器输出电压。

疑惑2：working voltage (r.m.s)是取变频器输出电压的线电压还是相电压？或者直接取系统电压？但是常见电源都是星形接地TN系统，我们常说的三相400V的系统电压为230V。

疑惑3：“连接到高电压的电路和人可触及的任何器件或连接器之间，都需要足够的安全隔离（或 IEC 61800-5-1中的保护隔离）。设计人员可以通过以下方式实现保护隔离：1) 两个串联的基本隔离器（双隔离）；或 2) 通过一个增强型隔离器”但是在一般变频器中，高频变压器都已经将驱动电源与用户电源及其他电源都做了隔离，这就要求驱动光耦只需做到基本隔离就足够了，这样高电压（IGBT）与用户电源就是增强隔离！

另外，对于电池供电的电动汽车应用场合，如何确定系统电压及工作电压？特别是对于IGBT驱动来说。

Johnsin Tao：

Hi一般是直流，使用上你可以参考一些评估板： www.ti.com.cn/…/toolssoftware