TI中文支持网使用了TPS2376DDAR-H目前生产了200套电路板，其中有140套是好的，剩下的60套POE不通电。测试发现好的电路板POE怎么试都是好的，POE不通电的电路板的怎么试都是不通电的。
客户那边曾经退回过其中一个电路板（POE不通电），后来维修换TPS2376DDAR-H就好了。由于这一批次都是SMT生产，所以能够保证没有贴错元件。查了近一个月，目前也还不能确定问题点出在哪里。请TI相关工程人员指点一下，谢谢！
附件是相关的PDF原理图。
TI_CHECK_TPS2376-H.pdf
Wu JW：
VDD对地至少放一个1uF以上的电容。建议可以参考我们的EVM来设计。
HPA244 EVM (Rev. B) (slvu197b.pdf)
www.ti.com/…/slvu197b
user4746675：
回复 Wu JW:
改了，按照设计方法VDD上加了22uF和0.1uF，可是问题依旧。另外发现了一个现象，就是如果使用示波器夹住22uF电容的负极，POE就能够正常工作了，不知道是什么原因？
user4746675：
回复 user4746675:
注：22uF电容的负极是TPS2376DDAR-H的RTN引脚
Wu JW：
回复 user4746675:
加电容之后，是否有换芯片？之前的芯片，有可能已经有损坏了。
user4746675：
回复 Wu JW:
没有换芯片。你判断芯片已经有损坏的依据是什么？是由于某一部分电路设计不当引起的吗？
Wu JW：
回复 user4746675:
输出没有电容，在插拔过程中，由于后端直接接电感，有可能导致芯片损坏。
user4746675：
回复 Wu JW:
从原理上来说，确实是可能存在这样的问题，我原以为POE协议接手的过程应该是一个持续接触的过程，中间不会断开。接下来我会按照这里的提议更新设计。不过现在还是有一个疑问，我使用示波器测试过电路板（POE有好的，也有不能通电的），它上面的TPS2376ADDR-H的VDD引脚在网线的插的过程和拔的过程都没有发现过尖峰电压。以前的初步的30台样机的电路板已经有使用近1年之久，每个机器拔插应该不下50次（用于软件研发），现在还没有一个损坏的。目前新做的200套电路板良莠太明显了，第一次上电就能够看出来，能用的目前始终是能用，不能用的始终是不能用。如果真是因为尖峰电压引起TPS2376DDAR-H芯片损坏，那好的板子应该渐渐不能用才是。甚是疑惑
Wu JW：
回复 user4746675:
请将有问题的板子，加上电容，换一个芯片，然后看看结果是什么。
user4746675：
回复 Wu JW:
现在维修了好了8个电路板（更换POE芯片，VDD加上22uF），全都好了，各插拔10次POE都正常通电。用万用表二极管档测试拆下来的坏芯片，对比库存的新的芯片发现，坏的芯片里其中有6个芯片的7个引脚相对VSS都是开路，剩下的2个芯片则仅仅pin1(ILIM)和pin2(CLASS)相对VSS是开路的，而库存里好的芯片的7个引脚相对VSS都是有约0.7K的阻抗。这里产生2个疑问，第1疑问：如果产生尖峰电压会不会把该芯片部分pin脚搞坏？第2疑问：正常温度回流焊的过炉次数有2次是否会损坏该芯片？初步怀疑可能是买到假货。
