TI中文支持网
上管波形如上图所示，测试的时候直流母线未加电压，
Johnsin Tao：
Hi你是指下降沿时间过长吗？ 让整体电路工作起来，再测一次看看？芯片对MOS的充电和放电主要是通过芯片。
KW X：
亲；你是以啥标准判断不正常？
KW X：
当上管关断时；是两只关断的MOSFET串联。建议按欧姆定律计算下每个MOSFET的理论承受电压。
user5109757：
回复 Johnsin Tao:
你好，我把R10换成0ohm后驱动正常了，但是在全桥不带任何负载时（J1和J3悬空），一上电驱动和mos都烧了，我设置的死区时1us，开关频率20，图1中的D1我没接，跟这个有关吗？还是需要加上mos的snubber电路？
user5109757：
回复 KW X:
你好，我把R10换成0ohm后驱动正常了，但是在全桥不带任何负载时（J1和J3悬空），一上电驱动和mos都烧了，我设置的死区时1us，开关频率20，图1中的D1我没接，跟这个有关吗？还是需要加上mos的snubber电路？
ning li6：
回复 user5109757:
user5109757你好，我把R10换成0ohm后驱动正常了，但是在全桥不带任何负载时（J1和J3悬空），一上电驱动和mos都烧了，我设置的死区时1us，开关频率20，图1中的D1我没接，跟这个有关吗？还是需要加上mos的snubber电路？
你好 你后来怎么解决烧管子和芯片的问题了呢 ?
user5109757：
回复 ning li6:
后来发现是管子关断时的尖峰电压太大，把管子击穿了
