求助为什么2812外部RAM读写速度提不高

又有问题得麻烦热心的坛友们了，我写了个2812的外部ram测试代码。
xintf.c内配置如下：
void InitXintf(void)
{
    // #if  F2812
    // Example of chaning the timing of XINTF Zones.  
    // Note acutal values should be based on the hardware     // attached to the zone – timings presented here are     // for example purposes.
     
    // All Zones———————————
    // Timing for all zones based on XTIMCLK = SYSCLKOUT
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.XTIMCLK = 0;
    // No write buffering
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.WRBUFF = 0;
    // XCLKOUT is enabled
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.CLKOFF = 0;
    // XCLKOUT = XTIMCLK/2
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.CLKMODE = 1;            //XCLK=75MHz
  
    // Zone 6:
    // Change write access lead active trail timing
   // When using ready, ACTIVE must be 1 or greater
   // Lead must always be 1 or greater
   // Use timings based on SYSCLKOUT = XTIMCLK

    XintfRegs.XTIMING6.bit.USEREADY=0;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XSIZE=3;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRTRAIL = 1;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRACTIVE = 2;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRLEAD = 1;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDLEAD = 1;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDACTIVE = 2;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDTRAIL = 1;
    //Not double lead/active/trail for Zone 6
    XintfRegs.XTIMING6.bit.X2TIMING = 0;          //时钟不翻倍
    // Zone 6 is slow, so add additional BCYC cycles when ever switching
    // from Zone 6 to another Zone.  This will help avoid
    // bus contention.
    XintfRegs.XBANK.bit.BCYC = 2;
    XintfRegs.XBANK.bit.BANK = 6;

// #endif
} main函数中每次往外部RAM写16K数据，写完后将一个GPIO翻转。现在得到的结果是按上述void InitXintf(void)配置GPIO口的方波只有163Hz左右，换算过来外部RAM写入速度只有2.8MHz左右。但是按上述配置理论上应该是（150MHz/2）/（1+2+1）=18.75MHz才对吧。而且我把XWRTRAIL、XWRACTIVE、XWRLEAD这三个时间分别设为1,1,1时，GPIO输出方波频率也只增加到176Hz，而如果改为3、7、3则方波为127Hz。这和手册上说的不符合啊，有哪位坛友知道问题出在哪里吗？谢谢赐教

minjie yuan1：

帖子里有点小错误，最高频率应该是6MHz左右，还是远远低于理论速度。用示波器观察CE和WE波形后，发现驱动脉冲的确只有这么点，而且换买过来的开发板测试也是一样的情况，所以肯定是程序除了问题。可是我是按照TI官方例程来配置的啊，我照着例程run_from_xintf中的顺序重新配置了结果还是一样。不解…

又有问题得麻烦热心的坛友们了，我写了个2812的外部ram测试代码。
xintf.c内配置如下：
void InitXintf(void)
{
    // #if  F2812
    // Example of chaning the timing of XINTF Zones.  
    // Note acutal values should be based on the hardware     // attached to the zone – timings presented here are     // for example purposes.
     
    // All Zones———————————
    // Timing for all zones based on XTIMCLK = SYSCLKOUT
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.XTIMCLK = 0;
    // No write buffering
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.WRBUFF = 0;
    // XCLKOUT is enabled
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.CLKOFF = 0;
    // XCLKOUT = XTIMCLK/2
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.CLKMODE = 1;            //XCLK=75MHz
  
    // Zone 6:
    // Change write access lead active trail timing
   // When using ready, ACTIVE must be 1 or greater
   // Lead must always be 1 or greater
   // Use timings based on SYSCLKOUT = XTIMCLK

    XintfRegs.XTIMING6.bit.USEREADY=0;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XSIZE=3;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRTRAIL = 1;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRACTIVE = 2;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRLEAD = 1;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDLEAD = 1;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDACTIVE = 2;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDTRAIL = 1;
    //Not double lead/active/trail for Zone 6
    XintfRegs.XTIMING6.bit.X2TIMING = 0;          //时钟不翻倍
    // Zone 6 is slow, so add additional BCYC cycles when ever switching
    // from Zone 6 to another Zone.  This will help avoid
    // bus contention.
    XintfRegs.XBANK.bit.BCYC = 2;
    XintfRegs.XBANK.bit.BANK = 6;

// #endif
} main函数中每次往外部RAM写16K数据，写完后将一个GPIO翻转。现在得到的结果是按上述void InitXintf(void)配置GPIO口的方波只有163Hz左右，换算过来外部RAM写入速度只有2.8MHz左右。但是按上述配置理论上应该是（150MHz/2）/（1+2+1）=18.75MHz才对吧。而且我把XWRTRAIL、XWRACTIVE、XWRLEAD这三个时间分别设为1,1,1时，GPIO输出方波频率也只增加到176Hz，而如果改为3、7、3则方波为127Hz。这和手册上说的不符合啊，有哪位坛友知道问题出在哪里吗？谢谢赐教

mangui zhang：

回复 minjie yuan1:

外扩SDRAM的最高速度是多少啊     会不会是因为外扩芯片的影响？

还有一种可能就是XINTF接口配置的问题      不知道你现在问题出到哪儿了

又有问题得麻烦热心的坛友们了，我写了个2812的外部ram测试代码。
xintf.c内配置如下：
void InitXintf(void)
{
    // #if  F2812
    // Example of chaning the timing of XINTF Zones.  
    // Note acutal values should be based on the hardware     // attached to the zone – timings presented here are     // for example purposes.
     
    // All Zones———————————
    // Timing for all zones based on XTIMCLK = SYSCLKOUT
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.XTIMCLK = 0;
    // No write buffering
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.WRBUFF = 0;
    // XCLKOUT is enabled
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.CLKOFF = 0;
    // XCLKOUT = XTIMCLK/2
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.CLKMODE = 1;            //XCLK=75MHz
  
    // Zone 6:
    // Change write access lead active trail timing
   // When using ready, ACTIVE must be 1 or greater
   // Lead must always be 1 or greater
   // Use timings based on SYSCLKOUT = XTIMCLK

    XintfRegs.XTIMING6.bit.USEREADY=0;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XSIZE=3;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRTRAIL = 1;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRACTIVE = 2;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRLEAD = 1;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDLEAD = 1;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDACTIVE = 2;
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDTRAIL = 1;
    //Not double lead/active/trail for Zone 6
    XintfRegs.XTIMING6.bit.X2TIMING = 0;          //时钟不翻倍
    // Zone 6 is slow, so add additional BCYC cycles when ever switching
    // from Zone 6 to another Zone.  This will help avoid
    // bus contention.
    XintfRegs.XBANK.bit.BCYC = 2;
    XintfRegs.XBANK.bit.BANK = 6;

// #endif
} main函数中每次往外部RAM写16K数据，写完后将一个GPIO翻转。现在得到的结果是按上述void InitXintf(void)配置GPIO口的方波只有163Hz左右，换算过来外部RAM写入速度只有2.8MHz左右。但是按上述配置理论上应该是（150MHz/2）/（1+2+1）=18.75MHz才对吧。而且我把XWRTRAIL、XWRACTIVE、XWRLEAD这三个时间分别设为1,1,1时，GPIO输出方波频率也只增加到176Hz，而如果改为3、7、3则方波为127Hz。这和手册上说的不符合啊，有哪位坛友知道问题出在哪里吗？谢谢赐教

minjie yuan1：

回复 mangui zhang:

芯片没问题的，是10ns速度等级的。现在我怀疑是因为其他语句占了时间，现在的配置大概能实现8MHz左右的写入速度，我将C代码转换成汇编语句，发现每两次写数据到外部RAM之间要执行7条代码（用来产生外部RAM的写入地址和写入数据数计算），加上本身读写外部RAM需要3个时钟周期，也许就是因为这些原因造成了写入速度慢。