TI中文支持网我做的一块2812的板子项目测试中发现外部SRAM读写速度最快只能达到3.5MHz左右，而资料显示理论上可以达到75MHz。我想独立测试一下这块板子的外部SRAM读写速度，哪位有测试2812外部SRAM读写速度的简单方法或程序？希望不吝赐教。谢谢！
mangui zhang：
对任何外部空间读／写操作的时序都可以分成3部分：建立、激活和保持，时序如图1和图2所示。在建立(lead)阶段，访问存储空间的片选信号变为低电平并且地址被送到地址总线(XA)上。默认情况下该阶段的时间设置为最大，为6个XTIMCLK周期。在激活(active)阶段，对外部设备进行读写，相应的读写信号(XRD和XWD)变为低电平，同时数据被送到数据总线(XD)上。默认情况下读写该阶段的时间均设置为14个XTIMCLK周期。跟踪(trail)阶段是指读写信号变为高电平，但片选信号仍保持低电平的一段时间周期，默认情况下该阶段时间设置为6个XTIMCLK周期。因此，在编程时要根据外部设备的接口时序来设置XINTF的时序，从而正确地对外设读写。
我做的一块2812的板子项目测试中发现外部SRAM读写速度最快只能达到3.5MHz左右，而资料显示理论上可以达到75MHz。我想独立测试一下这块板子的外部SRAM读写速度，哪位有测试2812外部SRAM读写速度的简单方法或程序？希望不吝赐教。谢谢！
mangui zhang：
设定DSP 内核频率(SYSCLK)为120MHz，设定XINTF频率为SYSCLK／2，即60MHz。根据器件手册，IS61LV25616的读／写周期为10ns，因此ZONE2配置为最小的等待时间，建立、激活和跟踪时间分别为16ns、16ns、0ns，写信号周期为16ns、16ns、0ns(对应寄存器设置为1，1，0)。AT28LV256的读写时序如图4、图5所示，读信号周期：建立时间为tCE与tOE之差，最大值为120ns；激活时间为tOE，最大值为80ns；跟踪时间为tOH，最大值为0，因此配置为33ns、50ns、0ns(对应寄存器设置为1，2，0)。写信号周期：建立时间为tCS，最小值为0；激活时间为tWP，最小值为200ns；跟踪时间为tCH，最小值为0ns。因此配置为33ns、217ns、33ns(对应寄存器设置为1，6，1)。
