TI中文支持网大家好，我在使用LM5050做电源冗余设计的时候，遇到一个问题如下：
右边输入为一个高压DC-DC隔离模块，同样输出50V。主要想实现的功能为，当高压DC-DC模块出现故障时，切断输出，使用另外的一路50V输入作为输出。在目前的测试过程中遇到一个问题，当我使用一台800V的高压稳压源为DC-DC隔离模块供电，50V的低压稳压源做in_50，那么在同时启动两个稳压源的情况下，50V的低压稳压源输入会使DC-DC模块保护，此时DC-DC模块无输出。当关闭50V的低压稳压源后，DC-DC模块正常输出50V。此处怀疑，是否上述LM5050冗余电路存在倒灌的可能，致使DC-DC模块故障保护？
注：此电路使参考论坛中部分坛友测试说明，在VS接输出端无法正常进行冗余工作后将VS接输入端使用！
Wu JW：
请提供相关的电压与电流波形。
If the MOSFET current reverses, possibly due to failure of the input supply, such that the voltage across the LM5050-1 IN and OUT pins is more negative than the VSD(REV) voltage of -28 mV (typical), the LM5050-1 will quickly discharge the MOSFET gate through a strong GATE to IN pin discharge transistor.
daw y：
回复 Wu JW:
理论上不会吧，否则就失去了这个IC的意义，你可以这样测试下：
1、只接左边电源，右边的DC-DC不启动，启动左边电源后，看右边电源输出端电压多少？
2、将右边DC-DC去掉，换成一个大阻值电阻，启动左边电源后，看左边电源输出多少。
3、如果时第一步能测到电压，第二步测不到电压，那么可能时MOS管体导致，在你目前电路右边DC-DC输出加一个死负载再试试。
Johnsin Tao：
回复 daw y:
Hi你的意思是低压源的50V会导致高压源的50V电源电路关机吗？即便前者先启动MOS的二极管应该会使其隔离开，相当于高压部分空载启动。建议你从波形上看。
user4096710：
回复 daw y:
LM5050逻辑开关电路测试.pdf
user4096710：
回复 daw y:
你好，按照你的建议我做了几个测试，详情请见附件！相当于LM5050并没有将回路彻底关断，因为还有体二极管的存在。那么我现在有一个问题就是，LM5050是否可以设计双N-MOSFET背靠背防倒灌电路呢？如下：
user4096710：
回复 Johnsin Tao:
同样麻烦您看下，有关LM5050的应用，是否可以进行双N-MOSFET背靠背防倒灌设计呢？谢谢！
Wu JW：
回复 user4096710:
首先这不是倒灌，这是正常现象。LM5050是ORING线路，其主要目的就是做一个理想的二极管作用，即需要MOS管体二极管导通时，芯片控制驱动将MOS管完全导通来降低功耗。
user4096710：
回复 Wu JW:
谢谢您关注这个问题！
我做的这两个实验只是证明了不能彻底关断回路。因为之前测试损坏了一个高压DC-DC模块，价格比较昂贵，故这次使用电池做替代，之前的测试也是使用电池的情况下，电路工作正常。出现问题的只是高压DC-DC模块双电源切换时会出现这个问题。
那么就像我在上面说的，是否可以用双N-MOSFET组成防倒灌电路呢？我刚刚搭了一个简易的电路，测试在LM5050的OFF端+5V高电平的时候，GATE引脚电平与输入电压基本相同，但是回路还是没有关闭，这点想不通！
Wu JW：
回复 user4096710:
LM5050不支持背靠背MOS的方案。如果电流不大，可以看一下TPS2660。
user4096710：
回复 Wu JW:
非常感谢您的建议。但是我这边需求回路电流＞100A，所以必须使用外置MOS，只能找找能驱动背靠背MOS方案的IC了！
