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我正在使用UC24636和BSC082N10LS给5V6A的flyback做同步整流。我的副边同步整流部分按照datasheet上的电路连的：
下面是我的副边mos管的Vds电压，我放大了专门看mos开通时的电压：
我确认过24636的输出方波，幅值有5V，我也确定mos管正常开通了，两个小平台是电流走体二极管而那个斜直线则是走mos管。我无法理解的是，我根据示波器上量到的导通时间和我们的变压器副边电感算出来我们的副边电流是由25A下降到0A，而根据BSC082N10LS的datasheet，其导通电阻将会低于8毫欧，这显然和测量到的导通压降不同。我也认为因为这样的导通压降导致我的模块的效率始终上不去。请问我该怎么解决这个问题
daw y：
这种测量MOS管导通压降的方式，是不准确的。效率上不去不一定是由导通损耗导致的。
user5759303：
回复 daw y:
请问有更准确的方式吗？另外我的mos管耐压可能选高了，我变压器匝比5:3，输入28V输出5V，当时有些mos没库存了直接选了个100V耐压的，这种高耐压低导通电阻的mos管的开关损耗是不是也很严重
user5759303：
回复 daw y:
你好，有一点我特别想不通，我用同步整流之前用的是一个肖特基二极管，导通压降大概0.4V。我的mos管最大导通电阻8毫欧，而我的次级电流不超过25A，这一点可以通过副边电感和导通时间算出来，这样算的话导通损耗确实要少不少，可效率几乎不变。我的开关频率才50kHz，开关损耗不应该称为主要损耗才是
Johnsin Tao：
回复 user5759303:
HiMOS功耗还要看Qg.之前你选择肖特基VF0.4V,整体效率本身估计也比较好。
user5759303：
回复 Johnsin Tao:
您好，
谢谢您的点拨，这一点我也会去了解一下。但是我依然不明白为什么根据示波器得出的导通压降，结合可计算的瞬时电流算出的导通电阻与datasheet所写大相径庭，我的导通压降是用差分探头测的，应该精度还是可信的
daw y：
回复 user5759303:
记得看到一篇文章，在工作状态下，用示波器按照你这样的方式测试导通内阻时不准确的。因为你测量值占示波器整个区域的比例太小容易失真。这个与是否时差分探头无关，属于示波器测试准确度问题。
user5759303：
回复 daw y:
你好，
关于开关损耗这里，我也经常看到，关于这点我有一个不解的地方，同步整流的控制芯片，无论是检测Vds还是检测伏秒积平衡，mos开通前必定会先走一小段体二极管，而后mos开通，此时的开通可以属于低电压开通因为Vds等于二极管两端压降。对于伏秒积平衡控制，mos的关断也可以做到比较精准的低电流关断，为什么开关损耗依旧会成为一个大问题？
另外，在选型方面，导通损耗可以很直观的选很低的导通电阻，那开关损耗方面我应该看datasheet的哪些参数可以较为直观的比较开关损耗？
