TI中文支持网1、芯片内部boost升压电路的开关频率是什么范围，负载接射频电路会有干扰吗？
2、芯片的使能引脚EN，高电平要大于 VBAT_SEC – 200mV，也就是说必须要用VBAT_SEC电源供电的运放来驱动吗，如果是请推荐一款低功耗和低价格的轨到轨运放。
Coffee Ge73：
楼主，这个问题可以发到电池管理板块，会有电池的工程师专门回复
xuetao cui：
回复 Randy Wang:
谢谢你完美的回答，另外这款芯片的冷启动是怎么实现的？
比如我想要2V的电压输出，但是一开始储能电容上面的电压只有1点几伏，这时候芯片使能后升压电路会给电容充电，不可能在短时间内输出2V？
Randy Wang：
回复 xuetao cui:
Hi Xuetao
BQ25505的最大持续充电电流为100mA，这个还是取决于你的电容是多大的，另外还有你能提供多大的一个输入。
但是理想情况下，总是需要一定时间的吧，需要在特定情况下来评估。
xuetao cui：
回复 Randy Wang:
芯片底部的散热焊盘需要接GND网络吗
huiming Song：
BQ25505是低电平使能吧。
