LM3150空载功耗过高

采用LM3150进行电源变换，输入20V-25V，输出12V（峰值电流12A），空载时功耗很大，空载电流不小，而且输出电压随着输入电压升高而升高，稳定在13V左右。

jie zhao96：

这是原理图，请大神们看一下是否有问题

Naizeng Wang：

回复 jie zhao96:

您好！

有三点疑问：

1. LM3150内部集成了自举二极管，为何外接一个？

2. EN为何不悬空？

3. 考虑到toff_min，频率选择是否合适？

Johnsin Tao：

回复 Naizeng Wang:

Hi外置MOS本身相对于内置MOS，静态工作电流大得多，特别是其并不具备Powersaving模式，所以空载功耗如果是几个mA或者十几个mA正常，可以适当降低频率来减小空载电流消耗，同时选择MOS建议尽量选择Qg小的。输入电压越高，对于降压而言电感峰值电流越大，如果layout不好，寄生参数可能导致电路不稳定，表现在输出不稳定，如果用万用表测量可能偏高，建议用示波器确认。另外也可能是环路不稳定，也可以确认一下。

jie zhao96：

回复 Johnsin Tao:

我正常计算频率fs＜517KHz，选取500Kz的频率，这个应该没问题吧？

Johnsin Tao：

回复 jie zhao96:

Hi500kHz当然没有问题，可以先从选择尽量选择Qg小的MOS入手降低空载功耗，如果仍不能达到需求，在适当降低工作频率。

jie zhao96：

回复 Naizeng Wang:

1. 外置自举二极管，手册也有推荐，增加驱动能力，提高转换效率；2. EN脚外接电容，做了5ms启动延时，这个有问题吗？3.现在的工作频率为500KHz，是经过计算的。还有其他可能存在的问题吗？

jie zhao96：

回复 Johnsin Tao:

有推荐的型号吗？

JackLiu：

降低开关频率

user5783486：

功耗高跟内部控制器有关，外围电路不好调。

user5783486：

回复 Johnsin Tao:

功耗低一点的内置MOS可以