LM5069芯片开机烧毁MOSFET

使用LM5069-2芯片测试，开机烧毁MOSFET，Vgs与输入电流如下：

tianba Xu：

上图吧

user5284052：

回复 tianba Xu:

咦？电路图吗，基本是按照DEMO设计的，MOSFET采用Back To Back设计。

Frank Xiao：

回复 user5284052:

snvu050c.zip你好，

先用附件的excel 校验下自己的参数，谢谢。

user5284052：

回复 Frank Xiao:

参数校验过没问题的，而且MOSFET规格也选的比较高。不知道是否和检流电阻的Layout有关。

Johnsin Tao：

回复 user5284052:

Hi参考的那一个电路？ 把链接给我一下。

user5284052：

回复 Johnsin Tao:

参考的就是EVM的设计：www.ti.com.cn/…/lm5069evm-627
现在找到两个原因：
1、由于我们后级需要加较大的负载电容，53.5V 规格1000uF+，所以启动过程MOSFET压力较大，选择PD较大的MOS导致其他参数Qg等随之上升，由于5069gate驱动能力只有16uA，所以Qg越大启动越容易出问题，比如现在的米勒平台振荡；
2、在EVM上实测，TO220封装的MOSFET，不剪脚焊接启动会有较大电流尖峰（寄生电感？）剪脚之后启动正常。

问题：
1、45W限功，启动时间大概需要140mS，短路重试延时大概是200mS（延时电容决定），那么MOS PD应该选什么级别？
2、Layout 除了开尔文连线，还有什么对启动影响比较大的？

user5284052：

回复 user5284052:

最终确认为MOSFET 米勒振荡问题

tianba Xu：

回复 user5284052:

厉害！