TI中文支持网Hi 你好，
附件是我们产品上使用的POE电路，带的负载为8W左右，产品24小时运行，试产1000pcs，有9pcs在运行中POE损坏，全部为TPS23753APW的GATE脚对地短路，其推动的MOSFET无损坏，对比好片与损坏的芯片，VC引脚对RTN引脚的阻抗无变化。请问能否给一些解决这个这个问题的指引呢？ BTW，这个电路我们在前代产品有使用，其后端功率为5W，量产后POE年损坏率在千分之3左右。
William1464.POE.pdf
Johnsin Tao：
HiVDD1或者VC的波形是否有测试过？是否存在异常波动，特别是Vc脚？如果是正常的电压的话，你选择的MOS是哪一款？
William Guo1：
回复 Johnsin Tao:
Hi,
有测量过，我稍后更新VDD1和VC的波形上来。
VC正常工作是的电压再12V左右，如果将Gate与mos断开，可以看到Gate会有一个约19V的过冲，如果正常连接就无法看到。
MOS使用的是FDS2582 ID=2.6A @ 100C Vds=150V Vgs=20V Ciss=1290pF 详见附件。FDS2582-D.pdf
我有一个疑问是目前我们在Gate与MOS之间串接的电阻式33欧姆，这个值是否偏小？
William
Johnsin Tao：
回复 William Guo1:
HiGate电压来自Vc, 如果冲到19V, 是有过压烧芯片的风险的。Vc电压应该是相对平稳的，建议其电容尽量靠近Vc脚，可以适当加大一点点。驱动电阻33欧姆是很大的，建议适当减小，这个不是烧掉驱动的原因。对于MOS选取，可以适当找一下Qg小的。
William Guo1：
回复 Johnsin Tao:
Hi,
发现一个可能的原因，但是从理论上没有想明白。
请参看前面贴子上传的原理图，在副边输出电容C356（470uF）后级，我们接了一个LC滤波电路（L10 2.2uH ， C357 470uF）。主开关MOS的D极电压Vspike的正常值为85V，我们有几台不良品，这个Vspike峰值达到186V，相应的VC会被推到60V，这样很快就把TPS23753A烧毁。 当我们拆掉上面说的2.2uH电感后，电路恢复正常，更换C356也可以恢复正常，相比之下拆掉L10的修复效果更好，但实际测量C356和L10的参数并没有什么异常。
如果直接拆掉C356，则可以持续复现上述状态，所以我理解大概率的输出电容不良引致，那么如何解析输出电容不良导致原边Vspike过分升高呢？ 是因为L10的缘故变相增加了漏感吗？ 请指导一下。
以下是正常的波形
以下是不良的波形
