MOSFET的驱动芯片选型

问题1.MOSFET的驱动峰值电流按以上图片I=Qg/td(on)+tr和I=Qg/td(off)+tf算下来的电流区别还很大,I=Qg/Ton,这边的Ton是按什么算?

问题2.MOSFET参数Vgs th-栅源极阈值电压5V，Vgs – 栅极-源极电压30V，选驱动芯片的驱动电压最小为多少，最大为多少V？

问题3.MOSFET的耐压值400V，电流Id为17A，满足这条件的MOSFET常用型号有哪些？

Frank Xiao：

你好，

Q1: 其实峰值电流可以用VCC供电除以驱动电阻来得到，如果通过Qg/Ton， 这个应该是平均电流，谢谢。

Frank Xiao：

你好，
一般MOSFET, 驱动电压12v 都是比较合适的，不要超过驱动电压耐压，驱动电压越高，Rdson 越小，谢谢。

Frank Xiao：

你好，

Q3:

耐压600v.650v的都可以使用，电流选一个比17A大的，留足裕量即可，谢谢。

user5770821：

回复 Frank Xiao:

1.‘其实峰值电流可以用VCC供电除以驱动电阻来得到，如果通过Qg/Ton， 这个应该是平均电流’，请问您说的VCC指的时MOSFET还是驱动芯片的供电，Qg/Ton的Ton具体指的时开关管datasheet的什么参数？

2。您说的一般驱动电压12V比较合适，驱动芯片电压最小值和最大值的范围是多少适用12V的驱动电压，我看不同的驱动芯片有的驱动芯片电压最大20V，30V等等，这些12V都适用吗？

谢谢

user5770821：

回复 Frank Xiao:

谢谢，那常用的MOSFET型号有哪些呢？

Frank Xiao：

回复 user5770821:

你好，

Datasheet 并不会给出Ton， 实际中使用不同的驱动电阻，对应的Ton都会不同，你可以百度研究下MOSFET的开通波形，谢谢。

Frank Xiao：

回复 user5770821:

你好，

600V的 TI的mosfet 有GaN FET, 如LMG3410等，谢谢。

Johnsin Tao：

回复 Frank Xiao:

Hi

    也注意选择Qg尽量小的，以及MOS的散热也是要注意的。

Iven Su：

回复 user5770821:

你好，

一般来说计算驱动MOSFET的平均电流就可以了，驱动损耗是驱动电压，Qg和开关频率三者的乘积。此外，一般来说驱动电压越高Qg越大，因此选择越高的的驱动电压开关损耗可能会更大。