TI中文支持网近期在Promote TI 最新BT 标准 PoE TPS23880 的同时，经常会讨论在AT及以下外置MOS好还是内置MOS好的问题。
台系某家已经在原有基础上内置了采样电阻，而国产的也马上出来内置MOS的PSE芯片了，那到底那个好呢？
当时我们在推广TPS23861的时候，主要切了MAXXX的份额，友商也是不包MOS的，最终客户在稳定性，性价比上面优选TI。
但MIXXXXXXX 的份额比较很难Share，涉及到出海外项目不方便更换。
另外，也和工程师的使用习惯以及应用场景有关。
总结如下：
1，如果需要低发热还是需要MOS外置！发热问题一直是内置MOS友商的短板；
2，需要单口高功率的也需要外置MOS的，这样使用会更好；
3，内置MOS的主要是省空间，但对于很多工业产品而言，空间虽然很重要，但还是第二优先级考虑的。
大家有什么看法？
Johnsin Tao：
HiMOS内置减小空间，散热做好，一般问题不大。
