TI中文支持网用BQ24640芯片设计的给超级电容充电，充电电流大概为3A,不算大，但mos管（csd18563q5a）会发热，虽然不是很热，但我还是觉得不正常，因为电流并不是很大，怀疑是自己的PCB设计有问题，希望大佬们指点一下！
KW X：
？3A不大？呵呵；用3A充下你的手机；看电池热不热，虽然可能还远不够着火爆炸。
如果没有大的散热面积，这种MOS只需1W就挂了。
Johnsin Tao：
回复 KW X:
Hi选择的MOS，Qg， Rdson尽量小，这个可以减少MOS，以及芯片功耗。然后就是注意芯片，MOS的layout，PowerPAD要充分利用起来扩展散热。
user5778990：
回复 Johnsin Tao:
我的设计目标大概在6A左右，就目前的发热情况可能很难达到，整体的layout目前是参考的bq24640EVM的设计，不过我设计的是两层板！
Johnsin Tao：
回复 user5778990:
Hi通常建议是4层板，因为可以借助中间GND层的扩展散热。就目前而言，如果板子已经定了，建议从MOS上先调调看。
