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不同电压值的区别

TI的产品:适用于高速驱动应用的 48V/10A 高频 PWM 三相 GaN 逆变器参考设计,链接:www.ti.com.cn/…/TIDA-00909,原理图:http://www.ti.com.cn/cn/lit/df/tidrok2/tidrok2.pdf

下图1和图2都得到3.3V,图1的3.3V作为辅助电源,图2的VREF3.3V用作图3电流检测芯片INA240A1PW的7脚。

问题1:为什么图1的3.3V电压不能给图3INA240A1PW的7脚,还要另外一个3.3V的电路如图2?

问题2:图1和图2得到的3.3V电压有什么区别?

谢谢解答

daw y:

两个3.3V共地吗?为什么用了两个不同的地信号?

user5770821:

回复 daw y:

这个我也不清楚,应该一样的吧

Johnsin Tao:

回复 user5770821:

HiLDO与参考基准芯片电压精度相差很大,前者一般是1~2%,后者是0.05~0.15%.所以用哪一个电压源在于你的应用需求。

user5770821:

回复 Johnsin Tao:

谢谢,还有一个问题请教一下,图中有功率地PGND,还有三角形和三横线GND,在画原理图中,该使用三种地中的哪一个如何选择?选择何种地的依据是什么?TI上有没有关于不同地的选择相关文档?谢谢

daw y:

回复 user5770821:

这只是一个地的符号,表示不同的地信号。

Johnsin Tao:

回复 daw y:

Hi电源GND作为功率GND,和信号模拟GND是要隔离的,模拟GND和数字GND也是要隔离的。

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