TI中文支持网脉冲控制的开漏MOS直接控制吗？
user5355323：
看了下数据手册上的ENA Control，是不是只要上电时，ENA引脚的的电压低于最大的停止阈值电压（0.5V），芯片不会启动；延迟一段时间后，ENA引脚电压抬升至最小启动电压（1.3）之上，芯片此时就会缓慢启动（延迟8ms），内部参考电压线性增大到参考值（1.221V），输出启动。
user5355323：
还有TPS5430的自举电容也是在内部MOS管开通时候放电，关断时充电吗?
daw y：
回复 user5355323:
续流二极管导通的受，自举电容充电。
user5355323：
回复 daw y:
额，是MOS管的续流二极管吗，还是外部电感的续流二极管呀。谁给他冲的电呀？
Johnsin Tao：
回复 user5355323:
Hi
前面提到的EN控制使得芯片缓慢启动，是可以的，在EN脚上增加一个小电容看看，不过这个是推迟芯片的启动。
或者你用软起动控制电路来做，这个是输出电压缓慢上升，可以在输出接一个电阻给电容充电，然后电容上的电压通过二极管连接到FB.
