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现在使用TPS40120EVM board 调试我们的应用出现了问题。我们现在的使用条件是 VIN=5V VOUT=12V IOUT=1.2A IMAX=8A 具体描述如下：
1.我们的设计目标：在电流为8A时，能够撑过2ms，此时我们能接受的电压为10V；正常工作时的持续输出电流约为1A。
2.我们按照附件的参数进行修改：当静态电流为2.6A时，输出电压跌落至5V，GATE波形异常
后改用动态电流拉载方式：电流1~8A，高电流时间HT：2ms；低电流时间LT：18ms；电流爬升率2.5A/us。此时的动态电压为：5V~14V
之后一直降低最大电流，其余设定与上述一致，当电流1~3A时，动态电压才能满足我们的要求。此时的动态电压为：10.7V~12.1V
3.我们替换的MOS的型号：MOSFET FDMS86540 N-CH 50A 60V SMD Power56(RDSon:3.4~4.1mOhm)
电感型号：Inductor 4.7uH 20% 5.5A SMD GSTC063P-4R7MN(DCR:37mOhm;Irms:5.5A;Isat:10A)
请问接下来应该如何进行调整？感谢
Johnsin Tao：
Hi采用TPS40210, 如果你期望输出功率比较大，是需要额外增加驱动电路，可以使双晶体管电路，也可以是驱动芯片，这一点你可以通过测量驱动信号验证。其次电感饱和电流是否足够，特别是你期望输出能到8A, 饱和电流才10A很可能是不够的。
James_Gao：
回复 Johnsin Tao:
1.请问双晶体管驱动电路的话应该如何添加，能否给予一个示例呢？
2.Isat 10A不够的话，大概多少可以呢？
Johnsin Tao：
回复 James_Gao:
Hi双晶体管驱动如下设计中驱动电路：www.ti.com.cn/…/slur660.pdf或者驱动芯片：www.ti.com.cn/…/slur739.pdf如果按照80%效率，0.3倍纹波电流那么输入峰值电流是12*8/0.8/5*1.15=27.6A,饱和电流需要超过这个峰值电流
