LM5116 具有可选择的仿真二极管模式,但是实际测试中,11角DEMB角接10k电阻,轻载依然进入二极管仿真模式,低端MOS驱动丢失,看芯片描述,二极管仿真模式是通过DEMB电压和SW电压通过比较器实现,但是SW只要低端MOS开启就会变成负电压,比较器应该永远输出低电平,这样DEMB角电压还有什么意义,请指教,谢谢!
Johnsin Tao:
Hi看datasheet第19页,特别是最后一句。
LM5116 具有可选择的仿真二极管模式,但是实际测试中,11角DEMB角接10k电阻,轻载依然进入二极管仿真模式,低端MOS驱动丢失,看芯片描述,二极管仿真模式是通过DEMB电压和SW电压通过比较器实现,但是SW只要低端MOS开启就会变成负电压,比较器应该永远输出低电平,这样DEMB角电压还有什么意义,请指教,谢谢!
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