TI中文支持网规格：400V OUT，满载 80W，85~265VAC IN，负载功率要求可调（1%~100%）。
遇到的问题：如原理图，过零检测ZCD分压电阻按照数据手册要求需要并联电容，根据测试结果得出：C12取值越大，电路在正弦半波峰值处越容易触发OCP1，使开关管提前关断。通过减小C12取值可以改善这种现象，但是轻载下情况无明显改善，电容已经减小至47p。如果去掉该电容，电路无法启动。（暂时没有高压电容，所以C11未接）
请问这种问题如何处理，另外zcd分压电阻为什么一定要并联电容才能正常工作，谢谢。
（后面再给出一张测试波形：1-驱动VGS，3-桥后电压波形Vbus，4-电感电流）
KW X：
C11/12是补偿电容，但效果和具体参数与PCB布局有关。
建议C16增加到330uF试试。
user6012180：
回复 KW X:
谢谢你的回复，但是330uF也太大了吧，成本上考虑也是不能用这么大电解的
Johnsin Tao：
回复 user6012180:
HiC16是偏小的，可以适当加大到82uF.将R31调小一点呢？其次也建议注意一下这一块的layout。
user6012180：
回复 Johnsin Tao:
你好，C16增加到100uF了。
调节R31以及ZCD电容（C11=10pF,C12=3.9nF。），不能改善上图所示问题，依然存在高压轻载MOS提前关断，如果强行加到最高压265Vac，IC直接保护了，并不断进行重启。
后来把CS采样电阻直接改为0了，还是出现MOS提前关断，这样就排除了OCP1。但是不论怎么改参数，都解决不了这个问题，只好来这里求助了。
附一张测试波形 1-VGS 2-Vcs 3-VDS 4-IL (Vacin=230V ，Vout=400V，负载功率32W)，如果负载继续调小，出现这种状况时的输入电压更低。
