各位前辈:
我仿照UC3843的参考电路做了一个反激电源。原理框图类似如下:
我实际电路图中,Rcsf=1k,Ccsf取330uF~1000uF。我发现电源在Ccsf取1000uF时,出现自激振荡。输出纹波从30mV提高到90mV,振荡频率约为30kH左右。当Ccsf取330uF,电源正常,纹波30mV,频率400kHz。开关频率为400kHz。
我看了一下手册对Rcsf、Ccsf的取值说明。如下图:
我看手册只是从RC滤波的角度出发,说RC的时间常数要大于开关周期。从这一点来说,Ccsf取330pF~1000pF应该都是满足条件的。应为开关频率fs=400kHz,开关周期Ts=2.5us。Rcsf=1k,Ccsf=1000pF,RC时间常数t=RcsfCcsf=1us;Rcsf=1k,Ccsf=330pF,RC时间常数t=RcsfCcsf=0.33us;都是比开关周期T小的。
可是为什么Ccsf取大一点会引起自激呢?
我怀疑是不是Rcsf、Ccsf其实是在电流内环中,会影响到电流内环的性能?可是我又不知道该如何定量计算这个Rcsf、Ccsf的参数。手册中对环路补偿参数的分析与计算也只是对谐波补偿和基于运放的补偿参数,并没有对Rcsf、Ccsf的参数计算,或者说认为Rcsf、Ccsf并不在环路补偿内。可是,实际中Ccsf的取值确实影响着稳定性。在我做的反激电源中,Ccsf取300pF电源稳定,Ccsf取1000pF电源不稳定,请问这该如何分析呢?除了RC时间常数小于开关周期这一条,还有其他限制来用于Rcsf、Ccsf的参数设计吗?需要考虑电流内环吗?电流内环该如何分析计算呢?感觉很复杂的样子。手册中的算例似乎也没有考虑电流内环补偿参数的设计?
zoujiangyilang:
写错了,“我看手册只是从RC滤波的角度出发,说RC的时间常数要小于开关周期。”
daw y:
多少?1000uF?
zoujiangyilang:
回复 daw y:
写错了,330pF~1000pF.
zoujiangyilang:
回复 Johnsin Tao:
我做的是一个2W反激电源,Vin提高到35V以上时,纹波出现自激。我调整了Ccsf的值从1000pF降至100pF。纹波自激逐步减小并消失。但在用100pF时,启动后可以稳定运行,但是在负载阶跃后,又会进入自激。
后来,我调整了Cvcc的值,从3.3uF提高到4.7uF,自激现象消失。我观察了Cvcc上的纹波电压,用3.3uF和4.7uF并没有太大区别,但是确实是提高Cvcc后,电源就稳定了。
我不知道这是为什么?一个供电滤波电容会影响到稳定性。当vin大于35V时,输入电流平均值在60mA以下,初级电流峰值为0.5A。
zoujiangyilang:
回复 zoujiangyilang:
后来想清楚了,我用的是辅助供电绕组反馈,不是光耦反馈。增大供电电容Cvcc实际上也是增大环路上的输出电容,所以对环路特性是有影响的。
lei nie:
回复 zoujiangyilang:
芯片需要检测电流信号,电容太大的话检测的电流信号就不准确了。
user4824401:
你好!滤波电容可以大于100pF,关键要满足RC<Ts,一般取RC=Ts/5,只要时间常数满足要求,C大一些,R可小一些,作用是滤除电流波形上的尖峰,防止误动作。
user4994345:
不错,一起关注下
user6126751:
回复 zoujiangyilang:
你好,我最近也在做3843的辅助供电绕组反馈,遇到一些问题,可以相互交流一下吗