TI中文支持网Hi
最近仿真了一个PMOS搭的负载开关电路如下图
VG1是电源输入端，但是发现当C2是1nF和1uF两种情况下，仿真得到的漏电流差别很大，当电容是1nF的时候漏电流能达到几安倍，而1uF的时候漏电流只有几百mA，不知道这个开关快慢为什么对电流有这么大的影响？？？具体仿真波形如下图
上图是C2=1nF时候仿真结果
上图是C2=1uF仿真结果
Johnsin Tao：
Hi
你提到的漏电流应该是这启动时候的inrush电流。
增加较大的电容应该是会加快MOS的启动，大幅度降低启动瞬间的导通阻抗。
user5909689：
回复 Johnsin Tao:
Hi
是inrush电流，不过应该是增大C2使得减慢MOS启动吧。另外我觉得是不是可能是负载电容太大，导致开关瞬间I=C*dv/dt导致了一个很大的inrush电流
