TI中文支持网如下图所示，LDO生成1.8V给DDR2和IO口共同供电。前两天电压还正常1.8V，今天测量发现给内存供电的1.8V电压上升至2.6V，但程序工作正常。
所使用内存是一颗MCP(DDR2和FLASH封装在一起减小体积)标称供电电压不得超1.95V，但程序却能正常运行。
从BOOTME启动时，串口打印BOOTME，内存电压就已经是2.6V了。
焊掉磁珠L24后(断开内存+FLASH)，IO1.8V恢复正常。
Johnsin Tao：
Hi这颗芯片不是TI的吧。从电路图看，Vout后面应该直接接输出电容，而不应该接磁珠，这个直接影响芯片内反馈。一般LDO应用手册上都应该会写明，输入输出电容尽量靠近输入输出脚，就是为了避免走线产生的寄生参数影响。
user4675047：
回复 Johnsin Tao:
你好，我的问题是为什么内存电压会抬升到2.6V但程序却能正常运行，磁珠和电容的影响没这么大。
