TI中文支持网给公司设计了一个高速数据采集卡，正常使用12V供电，电源入口芯片使用TPS65251，设计及输出电流电对应1.2V-3A、2.5V-2A、3.3V-2A。1.2V对应负载为Spartan6 LX100、CYUSB3014内核供电。2.5V对应负载为LDO转1.9V供ADC08D500、及FPGA IO。3.3V负载对应FPGA IO、AD9517-3 PLL、LDO转1.8V供FPGA IO用、使用LM27761及LP38698SD转出±2.5V供两个运放使用。
从电源入口测试进行数据采集传输时电流为0.31A，对应功耗3.72W，单独测量各路功耗均不大，由于设备在现场大部分时间处于常温状态，目前现场的数据采集卡未出现过问题，但是正常出厂测试都需要高低温（-10到55度），高温未出现过问题，问题集中出现在低温环节，低温-10度TPS65251可能会出现某一路输出损坏，目前3.3V输出损坏较多，1.2V出现过损坏后输出电压偏高，实际测试3.3V对应输出电流0.5A左右。室温工作芯片温度只比室温高一点，摸上去只能感受到一点点发热，由于目前故障主要出现在该芯片，因此希望大家看看我的电路是否存在问题，电路参考TPS65251 High Current, Synchronous Step Down Three Buck Switcher Evaluation Module设计，电感使用的同一型号
KW X：
建议查下元件是否满足－10C工作条件和温漂。
user4849769：
回复 KW X:
由于本身是工业设备，选型时所有芯片都能到在小于-10度低温工作
Johnsin Tao：
回复 user4849769:
HI测量芯片MOS烧掉了吗？应该不容易以啊，能承受-40℃。确实要检查一下其他器件低温耐温条件。
Johnsin Tao：
回复 user4849769:
HI测量芯片MOS烧掉了吗？应该不容易以啊，能承受-40℃。确实要检查一下其他器件低温耐温条件。
Johnsin Tao：
回复 user4849769:
HI测量芯片MOS烧掉了吗？应该不容易以啊，能承受-40℃。确实要检查一下其他器件低温耐温条件。
user4849769：
回复 Johnsin Tao:
断开后级负载测试3.3V输出对地电阻小于50欧姆，有的几欧姆，有的四十几欧姆。设计中使用到的所有芯片列表如下： XC6SLX100-2FGG484I CYUSB3014-BZXI RHAR ADC08D500CIYB/NOPB AD9517-3ABCPZ TPS65251RHA LP5907MFX-1.8/NOPB TPS54232D LP38513TJ-ADJ/NOPB LP38692SD-ADJ/NOPB LM27761DSG W25Q64CVSSI M24M02-DRMN6TP LM95221CIMM NCP360SNT1G SP3010-04UTG USBLC6-2SC6 AD8045ARDZ BAV99 LMH6552MA/NOPB 74LVC2G14GW THS3091D SN65LVDS2DBV SS24FL BC817-25 其中出了出了 LM95221CIMM芯片工作温度手册说明是0-85度，其他均能到-40度，LM95221CIMM实际测试-10度能正常工作，低温最低做到过-25度几小时该芯片也没有损坏，更低的温度没测试过，不过损坏的电路板该芯片无异常。 专门针对电路板功耗做了低温测试，测试结果表明低温功耗确实增加了1W左右，目前暂时未定位具体是哪一芯片功耗增加，但是即使1W的功耗完全加在3.3V上面，3.3V总功耗也没有超过3W，整板功耗5W左右。 目前想搞清楚可能存在的损坏原因，进行针对性测试并解决问题。
