基于GaN功率mos设计30v转5v@10A有源正激钳位变换器,工作于500kHz。我有两个问题感觉自己解决不了1、高边驱动(GaN好像现在只有n型的所以不得不用高边的)该怎么做,有没有不是基于变压器隔离的方案?2、mos驱动电压(Vgs要求比硅mos低,5-6V),直接用硅mos的控制芯片是不是就直接烧管子?该怎么驱动?
谢谢
user5964221:
回复 KW X:
我觉得高边正激变换器原边不能用同步buck那样简单的看做半桥,高边的mos上边不是连接了一个电容才接到电源的。这样一来是不是不能直接用二极管加自举电容这种驱动方式了?这样的理解对吗,具体上管该如何驱动,请问ti有参考设计吗?
user5964221:
回复 user5964221:
@KW X 我发现我之前的理解有误,谢谢你的回答
Johnsin Tao:
回复 user5964221:
Hi
可以看看UCC28780的方案。