BQ24170 4A充电方案，相关IC比较发烫，正常温度范围是多少？

BQ24170 4A充电方案，参照官网EVM设计，充电过程，使用热成像仪测量 BQ24170、Q3和L1的最高温度分别约为：65℃左右，64℃~68℃，65~70℃。请问TI工作人员，此温度是属于正常范围吗？由于TI的评估板未给出板卡器件温度成像图，不能做参照，希望TI人员可以给出个参照范围。或者实测提供下评估板的器件最高温度。

Johnsin Tao：

Hi和你的参数有关，没有参考。不过你可以根据datasheet 提供的效率，充电电流曲线图来大致估算芯片的功耗，再根据热阻来算。不过65℃而言，对于内置MOS的芯片，温度不算高，特别是毕竟有4A的充电电流。

Quincy：

回复 Johnsin Tao:

Hi Johnsin Tao

是的，经计算BQ24170，芯片的温度属正常范围。但PMOS管 Q3和电感L1的温度是否正常呢？判断的方法是这样的？谢谢

Johnsin Tao：

回复 Quincy:

Hi也不算高，我看错了，我以为你说的是芯片的问题。MOS有热阻，只要散热控制没有问题就可以了。 对于电感，选择尽量低DCR即可。