请教TI官方应用手册-升压原理中问题

附上TI升压原理文档，请问TI有降压DC芯片计算原理跟LDO原理计算文档吗？

两个公式有疑惑

1.占空比计算公式哪个正确？

D=(Vo-Vi)/Vo与D=1-Vi*n/Vo（其中n为效率），哪个公式正确？

2.开关峰值公式是不是分降压跟升压？

降压中会看到Isw=Iload+IL/2(其中IL为纹波电流 ），但是在升压中看到公式为 Isw=Iload/（1-D）+IL/2(其中IL为纹波电流 ），所以是不是区分升降压？

vick：

回复 Johnsin Tao:

请问TI 有DC降压/的计算原理文档跟LDO的文档吗

vick：

回复 daw y:

1.按伏秒原理来说，如果工作在连续的模式下，我怎么感觉升压占空比公式跟效率也是没关系的？所以我才有疑惑为什么TI这个里面给的公式是这样的话，他是在什么条件下才成立？
2.不同的拓扑你是指升压、降压或者升降压等等这样的区分吗？同种的比如都是升压，电流计算是一样的吧？